SK海力士開始大規模生產全球首款128層4D NAND

據外媒報道稱，海力士公司(SK Hynix Inc.)近日宣布，它已經開發並開始大規模生產世界上第一個128層1 Tb (Terabit) TLC(三層單元)4D NAND快閃記憶體，距離該公司去年發布96層4D NAND快閃記憶體僅8個月。

據介紹，128層的1Tb NAND晶元提供了業界最高的垂直堆疊，擁有3600多億個NAND單元，每個單元在一個晶元上存儲3比特。為此，海力士應用創新技術，如「超均勻垂直蝕刻技術」、「高可靠性多層薄膜細胞形成技術」和超快速低功耗電路設計以實現自己的4D NAND技術。

新產品為薄層色譜NAND快閃記憶體提供了業界最高的1Tb密度，包括海力士在內的許多公司已經開發了1 Tb QLC(四級細胞)NAND產品但海力士是第一個將1 Tb TLC NAND快閃記憶體商業化的公司。TLC在NAND快閃記憶體市場中佔有85%以上的份額，具有良好的性能和可靠性。

該公司4D NAND最大的優勢是晶元尺寸小，這使得海力士能夠實現超高密度NAND快閃記憶體。該公司在2018年10月宣布了創新的4D NAND，它結合了3D CTF(電荷擷取快閃記憶體)設計和PUC 技術。

在相同的4D平台和工藝優化下，海力士在現有96層NAND的基礎上又增加了32層，使製造工藝總數減少了5%。與以往技術轉移相比，96層NAND向128層NAND過渡的投資成本降低了60%，大大提高了投資效率。與該公司96層4D NAND相比，128層1Tb 4D NAND使每塊晶圓的產能提高了40%。

海力士的128層4D NAND快閃記憶體將從今年下半年開始發貨，同時繼續推出各種解決方案。該產品採用單晶元四平面架構，數據傳輸速率達到1400 Mbps(兆比特/秒)，傳輸速率1.2 V，支持高性能、低功耗的移動解決方案和企業SSD。

海力士計劃明年上半年為主要旗艦智能手機客戶開發下一代UFS 3.1產品。擁有128層1Tb NAND快閃記憶體，比起512Gb NAND產品，1Tb (Tb)產品所需的NAND晶元數量將減少一半，這也是目前智能手機的最大容量。它將為客戶提供一個移動解決方案，在1毫米薄的封裝中，功耗降低20%。

該公司還計劃在明年上半年開始大規模生產一個2 TB的客戶端SSD，帶有內部控制器和軟體。雲數據中心的16 TB和32 TB硬碟（ (NVMe)也將於明年發布。

海力士執行副總裁、全球銷售和營銷主管鄭勛(Jong Hoon Oh)表示，「海力士憑藉這款128層4D NAND晶元，確保了其NAND業務的基本競爭力，憑藉這款產品，憑藉業界最好的堆積和密度，我們將在合適的時間為客戶提供多種解決方案。」海力士正在開發下一代176層4D NAND快閃記憶體，並將繼續通過技術優勢增強其NAND業務的競爭力。

來源：ZOL中關村在線

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