三星EUV晶元工藝狂刷版本號：6LPP、5LPE、4LPE依次推出

現在已經有晶元代工廠的光刻工藝進化到7nm EUV工藝了，同時不久後就會有晶元採用7nm EUV工藝製造。此前台積電已經公布了他們的EUV時代光刻工藝，現在三星也公布了他們的EUV工藝規劃，比較有意思的是，三星未來工藝的迭代是6LPP、 5LPE、以及4LPE。

圖片來源：三星

根據Anandtech的報道，三星現在規劃的工藝都是作為更新迭代版本。在去年三星就開始採用7nm LPP EUV工藝生產晶元，到今年4月份已開始進行大規模生產。而目前的的消息稱已經有幾家晶元設計公司與三星進行合作。

7nm LPP是三星第一代EUV工藝，而到今年晚些時候，三星會推出6LPP工藝作為7nm LPP工藝的更新迭代版本。作為優化版本，6LPP工藝提供更高的晶體管密度（大約10%），以及更低的功耗。而且晶元設計公司不需要重新設計IP即可使用，大大降低了廠商流片的成本。此外，三星還推出了6LPP智能結構，只不過採用這種結構需要重新設計新IP進行流片。作為更新迭代版本，6LPP也添加了擴散中斷等新技術。

在6LPP之後三星會推出5LPE工藝，相比6LPP工藝，其在功耗、性能和面積方面都要更優秀。而且也可以重用原始設計的IP。三星規劃將在今年下半年推出5LPE的首批晶元，預計將在2020年上半年大規模生產。同時三星也因5LPE工藝可以為包括高性能計算、移動晶元的多方面應用提供眾多優勢，而成為2020年的主要的EUV工藝節點，同時產量也會更高。而且三星也會在華城興建更多的EUV生產線來滿足未來6LPP及5LPE工藝的需要。

三星還規划了7LPP工藝的終極迭代版本4LPE工藝，三星將在今年下半年完成開發，預計在2020年製造首批晶元，大規模生產應該會在2021年。

雖然三星在EUV工藝時代顯得比較激進，但並沒有完全放棄14nm、10nm等工藝節點，未來三星會通過優化或與先進工藝進行組合，以滿足對特定應用的需求。在三星的季度報告中，對於未來，三星也稱希望通過先進工藝來增強其半導體製造的競爭力。

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