重磅！東芝存儲器新型XL-Flash技術發布，下月送樣，2020年量產

東芝存儲器美國子公司（Toshiba Memory America，Inc.）宣布推出一種新的存儲器（Storage Class Memory）解決方案：XL-Flash，該技術是基於創新的Bics Flash 3D NAND技術和SLC，XL-Flash將為數據中心和企業存儲帶來了低延遲和高性能的解決方案，樣品將於9月開始送樣，預計2020年批量生產。

東芝新的XL-Flash將與英特爾3D Xpoint技術和三星Z-NAND技術展開競爭，且率先在SSD市場拉開戰局，瞄準數據中心、企業級市場海量數據存儲需求。

與英特爾3D Xpoint和三星Z-NAND一樣，XL-Flash屬於持久性存儲器，不僅具有NAND Flash容量存儲的能力，同時性能介於DRAM和NAND之間。雖然能像DRAM易失性存儲解決方案提供應用程序要求苛刻的訪問速度，但達到這種性能的的成本很高。DRAM單位成本限制了其容量的擴展性，新的SCM持久性存儲器解決了密度、成本、性能等問題。

XL-Flash是介於DRAM和NAND快閃記憶體之間的產品，與傳統的DRAM相比，具有更快的速度、更低的延遲和更高的存儲容量。XL-Flash最初將以SSD產品為部署，但未來也將擴展到DRAM產品線上，例如未來行業標準的非易失性雙列直插內存模塊（NVDIMM）。

主要特點

128Gb Die（2Die（32GB）、4Die（64GB）、8Die（128GB）封裝）

4KB Page大小，高效的操作系統的讀寫

16-plane更高效的並行架構

快速的讀取頁面和編程時間，XL-Flash提供小於5微秒的低讀取延遲，比現有TLC快10倍

東芝存儲器子公司（Toshiba Memory America，Inc.）存儲業務部高級副總裁兼總經理Scott Nelson表示：藉助XL-Flash技術，正在為超分頻器和企業伺服器/存儲商提供一種更具成本效益、更低延遲的存儲解決方案，彌補DRAM和NAND性能之間的差距。我們還為新興技術和行業標準打開了大門，這些技術和行業標準將為低延遲存儲解決方案提供不同的規格形態（form factors）。東芝的XL-Flash將在成本、性能方面優於競爭對手，提供優質的解決方案。」

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