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長江存儲最新進展:一期10萬片生產線正在加快啟動

據長江日報報道,國家存儲器基地一期中低壓配電系統日前已受電成功,正在加緊調試,力爭具備對外送電條件。繼中國第一代自主可控32層3D NAND晶元產品問世後,長江存儲一期10萬片生產線正在加快啟動。

今年4月,武漢市發改委表示,國家存儲器基地加速建設,完成投資10.3億元。

國家存儲器基地項目的實施主體是長江存儲科技有限責任公司。據武漢市4月公布的2019年第一季度政府工作報告執行情況顯示,武漢東湖新技術開發區在存儲器基地方面取得了重大進展,長江存儲器基地一期已實現量產,一季度產能達到5000片/月,辦公人數已達3000人。同時國家先進存儲產業創新中心也已完成法人主體註冊。

此前的報導中曾有提及,長江存儲計劃在年底量產64層3D NAND,同時將導入Xtacking架構應用,並規劃在2020年跳過96層3D NAND技術進入128層3D NAND階段。此外,長江存儲還將在近期正式推出Xtacking 2.0技術,根據推算,長江存儲Xtacking 1.0導入到64層3D NAND,很可能到128層3D NAND會導入Xtacking 2.0,這將大幅度縮短與國際大廠在技術上的差距。

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