快閃記憶體發展越來越慢？東芝推出高能XL-FLASH：比SLC更強

一年一度的FMS快閃記憶體峰會開幕在即，東芝存儲正式宣布推出XL-FLASH低延遲快閃記憶體，瞄準DRAM內存與普通NAND快閃記憶體之間的空白。

XL-FLASH並沒有像英特爾/美光的3D XPoint那樣直接跳出傳統NAND快閃記憶體框架，而是在NAND結構的基礎上加以改進，成功將當前3D TLC快閃記憶體的讀取延遲降低10倍。由於採用SLC結構，XL-FLASH的寫入效能也將遠高於目前常用的3D TLC快閃記憶體。

由於採用了成熟的NAND結構，XL-FLASH依然可以通過3D堆疊的形式來控制成本，兼具偏近內存的低延遲特性和斷電後不丟失數據的特點，為數據中心以及企業級存儲提供數據分層、內存擴展功能。

XL-FLASH並非簡單的3D SLC，它還在結構上進行了革新。譬如採用4KB而非16KB作為Page頁容量，獲得更低讀寫延遲及隨機效能；採用16-Plane而非常見的2-Plane結構，增強並發讀寫效能。

第一代東芝XL-FLASH將具備128Gb的單Die容量，並可採取2die、4die或8die封裝以取得單個32GB、64GB或128GB的快閃記憶體顆粒。XL-FLASH的存儲密度相比當代96層堆疊3D TLC低一半左右，但與國產長江存儲32層堆疊3D TLC持平。

不同於英特爾/美光的3D XPoint以及三星的Z-NAND，東芝存儲的XL-FLASH不會採取封閉生態，而是選擇同時對外銷售。這意味著其他存儲廠商也可以推出採用XL-FLASH快閃記憶體的固態硬碟或是NVDIMM類產品。前不久Marvell推出的新一代PCIe 4.0主控88SS1321已經宣布了對XL-FLASH的率先支持。相信隨著更多廠商的加入，傲騰類高端SSD的價格將更加親民。

喜歡這篇文章嗎？立刻分享出去讓更多人知道吧！