三星宣布量產新型250GB SSD，搭載第六代TLC V-NAND
科技
08-07
8月6日消息 今天上午三星宣布開始大規模生產新型250GB SATA固態硬碟(SSD)，集成了三星的第六代256Gb 3-bit V-NAND。
三星稱，利用「通道孔蝕刻」技術，新的V-NAND比之前的90+層單堆疊結構增加了約40%的層數，達到了136層。
隨著每個單元堆疊高度的增加，NAND快閃記憶體晶元更容易出現錯誤和讀取延遲。為了克服這種局限性，三星重新進行電路設計，使它獲得最快的數據傳輸速度，低於450微秒(μs)寫操作和低於45μs讀取延遲。與上一代相比，這意味著性能提高了10%以上，而功耗降低了15%以上。
