SK海力士公布800＋層堆棧快閃記憶體路線圖，SSD硬碟殺向200TB

摘要：日前，三星率先量產了136層堆棧的第六代V-NAND快閃記憶體。而在此之前的6月份，韓國SK海力士公司也宣布研發成功並批量生產128層堆疊的4D NAND快閃記憶體晶元。不過這些還不是堆棧快閃記憶體的極限，SK海力士預計在2030年推出800 層的快閃記憶體，可以輕鬆製造出100-200TB容量的SSD硬碟。

日前，三星率先量產了136層堆棧的第六代V-NAND快閃記憶體。而在此之前的6月份，韓國SK海力士公司也宣布研發成功並批量生產128層堆疊的4D NAND快閃記憶體晶元。不過這些還不是堆棧快閃記憶體的極限，SK海力士預計在2030年推出800 層的快閃記憶體，可以輕鬆製造出100-200TB容量的SSD硬碟。

在日前的FMS國際快閃記憶體會議上，存儲晶元大廠SK海力士公布了他們的快閃記憶體路線圖，具體如下：

目前SK海力士生產的128層堆棧快閃記憶體核心容量是1Tbit，176層堆棧時核心容量1.38Tbit，預計500層堆棧時核心容量可達3.9Tbit，到800層堆棧時則會高達6.25Tbit，是現在的6倍多。

當前SSD硬碟最大容量在15-16TB左右，不過三星早就有30TB以上的SSD硬碟了，按照6倍核心容量的增長來算，未來SSD硬碟未來容量可達200TB左右，這個容量要比HDD硬碟還高了，之前希捷公布的HDD硬碟路線圖顯示未來在HAMR等先進技術支持下，HDD硬碟也能達到100TB容量，不過那至少是2025年之後的了。

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