SK海力士發布業內最高帶寬DRAM：達460GB/s，預計2020年量產

SK海力士官網宣布研發出業內最高帶寬產品HBM2E DRAM。相較於上一代HBM2產品，新一代HBM2E帶寬增長接近50%，容量將近翻倍。

HBM2E基於每個Pin針3.6Gbps的速度性能以及1,024 數據的IOPs，所支持的帶寬達每秒460GB。通過TSV技術，最多可以垂直堆疊8個16Gb的晶元，形成密度為16GB的單封裝晶元。

HBM2E是針對工業4.0推出的最佳存儲解決方案，支持高端GPU、超級計算機、機器學習、人工智慧等需要高性能存儲的系統。與採用模塊封裝形式並安裝在系統板上的商品DRAM產品不同，HBM晶元與處理器（如GPU和邏輯晶元）緊密相連，距離僅為幾個單元，允許更快的數據傳輸。

HBM事業部負責人Jun-Hyun Chun表示，「自從2013年首款HBM發布以來，SK海力士就建立起了業內領先地位，SK海力士計劃在2020年大規模量產HBM2E晶元，並繼續加強在該領域的領先地位。」

喜歡這篇文章嗎？立刻分享出去讓更多人知道吧！