SK海力士發布全新DRAM：帶寬達460GB/s

近日，根據SK海力士官網顯示，海力士目前已經研發出業內最高帶寬產品HBM2E DRAM。相較於上一代HBM2產品，新一代HBM2E帶寬增長接近50%，容量將近翻倍。

HBM2E基於每個Pin針3.6Gbps的速度性能以及1,024 數據的IOPs，所支持的帶寬達每秒460GB。通過TSV技術，最多可以垂直堆疊8個16Gb的晶元，形成密度為16GB的單封裝晶元。

HBM事業部負責人Jun-Hyun Chun表示，「自從2013年首款HBM發布以來，SK海力士就建立起了業內領先地位，SK海力士計劃在2020年大規模量產HBM2E晶元，並繼續加強在該領域的領先地位。」

韓國與日本的貿易摩擦使得全球的半導體存儲變數不斷增大，希望以海力士為首的韓系廠商能狗保證產能穩定全球的科技產業鏈，避免之前的惡意漲價現象再次出現。

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