SK海力士公布HBM2E顯存：單顆容量16GB

SK海力士宣布成功研發可視為HBM2的增強版的新一代DRAM內存「HBM2E」，比現有的HBM2提升了大約50%的性能、容量也實現了翻番。新一代全新的HBM2E擁有業界最高的傳輸帶寬，每個針腳傳輸速率為3.6Gbps，搭配1024-bit位寬可提供超過460GB/s的超高帶寬。

AMD Radeon VII顯卡在應用4096bit位寬和HBM顯存的情況下，實現了1TB/s的高速帶寬，但如果換成HBM2E的話，顯卡的總帶寬可輕鬆超過1.8TB/s。

SK海力士HBM2E得益於TSV硅通孔技術，HBM2E顯存最多可垂直堆疊八顆16Gb晶元，單顆封裝總容量可達16GB，是8GB容量HBM2的兩倍。不同於傳統DRAM顯存必須單獨封裝、佔用主板面積，HBM系列顯存可以與GPU晶元、邏輯晶元等整合封裝，可以讓晶元之間的距離僅有幾微米，不僅節省整體面積，同時也能保證更快的數據傳輸。

SK海力士表示，超高帶寬的HBM2E可用於工業4.0、高端GPU顯卡、超級計算機、機器學習、AI人工智慧等各種尖端領域。SK海力士沒有透露HBM2E何時量產出貨。

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