全新革命內存官宣！DDR瞬間成渣

SK海力士宣布，已經成功研發出新一代DRAM內存「HBM2E」，可視為HBM2的增強版，擁有業界最高的傳輸帶寬，相比現在的HBM2提升了大約50％，同時容量也翻了一番。

SK海力士的HBM2E每個針腳傳輸速率為3.6Gbps，搭配1024-bit位寬的話可以提供超過460GB/s的超高帶寬，無可比擬。

AMD Radeon VII顯卡曾經率先實現1TB/s的顯存帶寬，但應用了4096-bit的位寬，如果換成HBM2E總帶寬可以輕鬆超過1.8TB/s。

同時得益於TSV硅通孔技術，HBM2E內存可以最多垂直堆疊八顆16Gb晶元，單顆封裝總容量因此可達16GB，是目前的兩倍。

SK海力士表示，超高帶寬的HBM2E可用於工業4.0、高端GPU顯卡、超級計算機、機器學習、AI人工智慧等各種尖端領域。

而且不同於傳統DRAM必須單獨封裝、佔用主板面積，HBM系列可以與GPU晶元、邏輯晶元等整合封裝在一起，彼此距離可以做到僅僅幾個微米，大大節省整體面積，也能保證更快的數據傳輸。

哦對了，SK海力士是第一個搞定HBM的，時間是2013年。

SK海力士未透露HBM2E何時量產出貨，看樣子還要等一段時間。

GPU晶元左右兩側四顆晶元就是HBM

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