環繞閘極不能讓三星在3nm工藝領先台積電

半導體工藝在進入14nm/16nm之後，最經常被提到就是鰭式場效應晶體管(FinFET)，它的出現滿足了7nm至14nm之間的工藝製造。不過在進入更小的5nm、甚至3nm之後，FinFET工藝已經難以滿足半導體晶元的製造需求，業界也在對新一代晶體管進行研究。

三星在5月公布了新一代「環繞閘極(GAA)」製程技術，同時宣稱在3納米工藝上領先台積電一年。環繞閘極的原理就是通過增加閘極與電子通道間的接觸面積，增加控制效果、減少漏電流，從而讓晶體管尺寸進一步縮小、將定晶元的漏電率。

台灣知產力專家社群創辦人曲建仲介紹，場效電晶體(FET)是最基本的電子元件，是數字信號的最小單位，一個FET代表一個0或一個1，就是電腦里的一個位數。電子流入再流出，由一個閘極開關控制電子導通代表1或不導通代表0，科學家將它製作在硅晶圓上。

「製程節點」代表閘極的「平均長度」，會隨製程技術的進步而變小。當晶體管縮小到14納米以下之後，原來的技術不能滿足14nm產品的需求，才有了胡正明教授的「鰭式場效電晶體(FinFET)」，但是5納米以下又遇到問題，才出現「環繞閘極場效電晶體」。

曲建仲強調，各家晶圓廠早就在發展GAA，只是結構稍有不同，測試效果沒有比FinFET好，良率又低，所以沒有拿GAA初來「唬人」而已。三星展出的「水平式」GAA和FinFET性能差異不大，更多的作用是唬外行人，報導說三星想用GAA在3納米彎道超車台積電，「只能說不是想像力太豐富，就是三星的營銷比較厲害」。

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