中芯國際14nm將量產 7nm工藝或許能在明年面世

[PConline 資訊]今日中芯國際發表了今年Q2季度財報，當季盈利迎來大幅度的增長。但是現在就開心還不是時候，中芯國際的28nm工藝相對於台積電、三星要落伍三四代了，而且代工成本上也沒優勢。所以下一步就是對現有工藝進行改進。

中芯國際的策略是28nm工藝將不會再擴產，但是會從28nm Bulk工藝升級到更有優勢的28nm HKC 工藝，主要用於API、IoT、機頂盒、IPTV等產品中。

下一個重要節點是14nm及改進型工藝12nm，中芯國際表示14nm已經進入客戶風險量產階段，目前流片數量10多個，今年秋季會正式量產，年底貢獻有意義的營收，不過大規模量產還要到2021年。

14nm之後還有改進型的12nm FinFET工藝，根據中芯國際之前介紹，該工藝相比14nm晶體管尺寸進一步縮微，功耗降低20%、性能提升10%，錯誤率降低20%。

目前12nm工藝已經進入了客戶導入階段，進展順利，預計年底會有多個晶元流片驗證。

14/12nm工藝會是國內最先進的工藝，但是與台積電三星相比依然要落後至少兩代，中芯國際還會有N 1第二代FinFET工藝追趕先進水平。雖然中芯國際一直沒有確認第二代FinFET工藝會是10nm還是直接進入7nm，但從之前訂購ASML的EUV光刻機來看，中芯國際應該會跳過10nm節點，畢竟10nm節點本來也是低功耗方向的，而7nm節點才是長期存在的高性能低功耗節點，意義更加重大。

N 1 FinFET節點會是中芯國際的第二階段，預計2020年底會有試驗產能，不僅是有N 1，還會有更先進一代的N 2節點。如果進展順利的話，那麼2020年底國內可能會有7nm工藝風險試產，這時候中芯國際與台積電三星的差距將縮短至一代左右。

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