美光宣布率先開始大規模量產1Znm 16Gb DDR4

美光科技公司宣布開始大規模生產1Znm 16Gb DDR4產品。

美光技術開發執行副總裁Scott DeBoer表示，開發和大規模生產業界小尺寸DRAM體現了美光的先進技術和製造能力，特別是在DRAM進一步擴展極其複雜的時候，率先推向市場，使我們能夠繼續為廣泛的終端客戶提供高價值的解決方案。」

與上一代1Ynm製程相比，美光的1Znm 16Gb DDR4產品可提供更高的密度，顯著的增強性能以及更低的成本。同時也將強化DDR4、LPDDR4和圖形GDDR6產品線在性能和功耗方面的持續進步。功耗和性能之間的優化和平衡是應用差異化因素的關鍵，其中包括人工智慧、自動駕駛汽車、5G、移動設備、圖形、遊戲、網路基礎設施和伺服器等領域。

美光通過大規模生產16Gb DDR4存儲解決方案，以及向1Znm過渡，將帶來更多的產品優勢。與前幾代基於8Gb DDR4的產品相比，功耗降低約40%。美光公司全面的Znm DDR4產品系列旨在滿足現代數據中心對更高性能、更高密度和更低功耗的不斷增長的需求。

對於DRAM技術的發展路線，在5月份的美光投資者大會上，美光曾表示，在1Znm工藝世代以後還將有1αnm、1βnm、1γnm進行微細化的工藝。

6月11日，美光宣布位於日本廣島的新工廠B2竣工，預計將在2019年底量產1Znm LPDDR4。美光還計划進行第二階段投資，將建設F棟製造工廠，將用於量產1Znm工藝之後的1α、1βnm技術。

除了美光，三星1znm DRAM也進入了量產階段，三星在2019年3月宣布首次開發出第三代10納米級（1Znm）8Gb 雙倍數據速率的DDR4，而且不使用極紫外光刻（EUV）設備處理，就突破了DRAM的技術挑戰。

同時，為了滿足高端智能型手機的需求，上個月三星又宣布了量產業內首款12Gb LPDDR5，具有5500 Mb/s的數據速率，基於最新的第二代10nm級（1Ynm）工藝，預計晚點時候三星將會推出1Znm LPDDR5。

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