美光量產第三代10nm級內存：首發1Znm工藝16Gb DDR4

摘要：日前美光公司宣布量產了1Znm工藝的16Gb DDR4內存，這是第三代10nm級內存工藝，這次量產也讓美光成為業界第一個量產1Znm工藝的公司，這一次進度比以往的標杆三星公司還要快。

日前美光公司宣布量產了1Znm工藝的16Gb DDR4內存，這是第三代10nm級內存工藝，這次量產也讓美光成為業界第一個量產1Znm工藝的公司，這一次進度比以往的標杆三星公司還要快。

在內存工藝進入20nm之後，由於製造難度越來越高，內存晶元公司對工藝的定義已經不是具體的線寬，而是分成了1X、1Y、1Z，大體來說1Xnm工藝相當於16-19nm級別、1Ynm相當於14-16nm，1Znm工藝相當於12-14nm級別。

根據美光之前公布的路線圖，實際上1Znm之後還會有1αnm、1βnm、1γnm，這樣一來10nm級別就有六種製造工藝了，現在正好演進到到了第三代。

美光表示，與上一代1Ynm製程相比，1Znm 16Gb DDR4內存晶元可以提供更高的密度、更高的性能及更低成本，不過美光並沒有給出具體的數據，性能提升多少、成本降低多少尚無確切數據，唯一比較確切的就是說1Znm 16Gb DDR4內存相比前幾代8Gb DDR4降低了大約40%的功耗，但這個比較也太過寬泛。

此外，美光還宣布批量出貨基於UFS多晶元封裝uMCP的、業界容量最高的16Gb LPDDR4X內存，滿足了業界對低功耗及更小封裝的的要求。

來源：快科技

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