全球DRAM投片僅成長4%，明年三巨頭仍無大規模新增產能
全球內存產業產出量明年年成長為12%，為近十年來新低的水平。從產能與工藝的角度來看，全球內存投片只有4%的成長，三大主要內存廠明年幾乎沒有大規模新增的產能，明年1X/1Ynm依然是市場主要工藝，1Znm工藝呈現緩步成長。集邦諮詢預估，明年內存價格將有機會在上半年止跌反彈……
11月27日，由全球高科技產業市場研究機構集邦諮詢（TrendForce）旗下半導體產業研究中心DRAMeXchange主辦的「2020存儲產業趨勢峰會（MTS2020）」在深圳舉行。本次峰會匯聚全球半導體及存儲產業鏈重量級嘉賓以及集邦諮詢資深分析師，與來自產業鏈上下游企業的數百名參會嘉賓共同探討2020年存儲市場新趨勢、新變化。
本峰會圍繞半導體及存儲產業發展趨勢，議題分別從內存與快閃記憶體的市場供需態勢、技術發展方向、應用領域趨勢等方面，詳細解讀全球半導體存儲產業宏觀經濟環境、產業細分市場以及技術演變動態，深度分析未來的驅動因素和應用商機，為產業及企業同步提供前瞻性、戰略性規劃參考，助力存儲產業鏈上下游企業把握商機。
圖1：集邦科技董事長劉炯朗致開幕詞
會議伊始，集邦科技董事長劉炯朗為大會做開幕致辭，對所有參會嘉賓的蒞臨表示感謝。緊接著，集邦諮詢半導體產業研究中心DRAMeXchange與拓墣產業研究院的半導體及存儲產業各細分領域分析師、行業專家等展開精彩演講，下面整理了各演講嘉賓演講的主要內容，以饗讀者：
郭祚榮：2020年全球內存產業趨勢分析
圖2：集邦諮詢DRAMeXchange研究副總經理 郭祚榮
全球內存產業產出量明年年成長為12%，為近十年來新低的水平，原因在於各內存大廠對於資本支出保守加上工藝轉進趨緩外，內存價格亦歷經了長達一年半的下跌，都讓內存大廠想藉由產出的控制，以期明年市場從現在的供過於求往供需平衡邁進。
從產能與工藝的角度來看，全球內存投片只有4%的成長，三大主要內存廠明年幾乎沒有大規模新增的產能，明年1X/1Ynm依然是市場主要工藝，1Znm工藝呈現緩步成長。集邦諮詢預估，明年內存價格將有機會在上半年止跌反彈，改善目前的獲利結構。
鍾寶星：5G芯引擎為存儲提供核心動力
圖3：紫光展銳消費電子產品規劃部部長 鍾寶星
5G大帶寬、海量連接、超低時延的豐富應用場景對存儲提出了更大容量、更加穩定、更快響應的新要求。5G芯引擎的發動，從中心、雲端存儲維度和邊緣、終端存儲維度都會帶來新的變革，為存儲產業提供核心動力。
5G時代下IOT將產生海量數據，預計2025年物聯網終端產生的數據量約80ZB，相當於約5154噸1T硬碟。邊緣數據在廣度、深度、精度上的全面提升，帶來存儲、模組、感測器全面升級；5-10倍的速率提升，主流應用內容質量提升數倍，讀寫速度需求同步增長，5G帶來大帶寬意味著更大量的信息需要被傳輸、處理和存儲，勢必帶動新的一輪硬體升級，帶來新一波智能手機換機熱潮。未來5G加AI的融合，數據除了在中心雲端處理外，數據也會在邊緣端做更多的處理，邊緣AI的普及以及終端低延時應用均對存儲提出了更高、更快、更強的要求。
中國作為全球最大的智能手機市場，將成為存儲的先鋒市場。5G時代全球性的終端升級帶動存儲的高速增長，將全面開啟存儲產業的新黃金時代。
余大年：存儲在電子競技產業鏈中的應用
圖4：芝奇國際技術行銷總監 余大年
近年來電競產業在世界各地快速成長，加上現代電競電腦需要更強大的多任務同步處理能力及執行高畫質遊戲的性能，帶動了高速度、高容量存儲產品的需求。
芝奇國際為全球高端電競內存領導品牌，多年來透過獨特的極限超頻技術，將每一世代硬體效能發揮至極限，不僅提供電競玩家更高性能內存產品，也同時樹立下一世代高端硬體的規格標竿，成為加速人類科技進化的推手。
DDR5即將問世，內存速度及容量勢必再做提升，如何能持續開發出更高性能產品以滿足電競玩家需求，將會是各大存儲廠商如何於電競市場致勝的關鍵。
葉茂盛：2020年智能手機發展與存儲市場趨勢分析
圖5：集邦諮詢DRAMeXchange分析師 葉茂盛
智能手機市場已經發展進入高原期，加上硬體創新幅度有限的因素，2020年生產量將大致持平，其中行動裝置存儲需求除傳統上消費者越換越大的預期以外，明年受到5G手機滲透率提升影響，所需傳輸速度與容量要求皆有提升，在嵌入式產品界面方面，eMMC 5.1已難以負荷5G時代的基本傳輸要求，加上價格的誘因，UFS 2.1/3.0有望在2020年加速滲透，促使行動裝置市場快閃記憶體位元出貨成長達到32%，較2019年不到30%改善，也有助於整體快閃記憶體市場需求有較佳成長表現。
徐征：利基型DRAM市場趨勢分析
圖6：晉華集成副總經理 徐征
目前利基型DRAM (specialty DRAM)主要應用於消費型電子產品。2019年DRAM市場供過於求，各大DRAM業者通過降價減產的方式降低庫存水位，同時三大DRAM業者重新調整產線，加速1Znm製程，帶動利基型DRAM的規格朝向DDR4邁進。
需求端，目前利基型DRAM的位需求量持續提升已是市場共識，而中國龐大市場需求是中國DRAM製造業者們的商機所在；供給端，在三大供應商加速利基型DRAM規格迭代情況下，市場上普遍認為消費型電子市場DDR4及LPDDR4的滲透率將逐年提升。
然而，大部分的消費型電子產品並不需要如此快速的規格轉型，加上中國已領先全球著手布建5G系統，更有利於殺手級應用的產生，在此情形之下，倘若中國DRAM業者能夠補足需求缺口，滿足當下市場的需求，勢必能減緩終端應用廠商面臨被迫轉換的壓力，這將是中國DRAM業者成長的好機會。
吳元雄：存儲技術與解決方案發展
圖7：力晶積成電子存儲器事業群總經理 吳元雄
傳統計算器架構中，動態隨機存取存儲器帶寬是受限的。在一些存儲器存取頻繁的應用中，處理器往往會因帶寬受限，無法獲得充分數據進行有效運算，這就是所謂「內存牆」或 「memory wall」問題。
力晶積成電子身為專業晶圓代工廠，除了邏輯晶圓代工之外，也是業界唯一專業動態隨機存取存儲器晶圓代工廠。力晶積成電子特此綜合這兩項專長，針對深度神經網路應用，開發了AIM（AI Memory）平台，旨在解決內存牆問題。
力晶積成電子AIM平台，乃基於力晶先進之動態隨機存取存儲器製程技術，可用於製作各式深度神經網路加速電路。由於加速電路直接植入動態隨機存取存儲器陣列旁，如此加速電路可享有超高動態隨機存取存儲器帶寬，完全解決內存牆問題。並且由於無需傳統外部存儲器介面，外部介面傳輸所導致之功耗及延遲也一併免除。
劉家豪：IT基礎架構轉型驅動存儲器市場新紀元
圖8：集邦諮詢DRAMeXchange資深分析師 劉家豪
近年因AI技術逐漸成熟與智能終端裝置普及，多數應用服務皆藉由伺服器來統合，尤其是需依賴龐大數據進行運算與訓練的應用服務，再加上虛擬化平台及雲儲存技術發展，伺服器需求與日俱增。此外，在產業結構改變與伺服器運算單元大幅進步之下，亦將帶動與傳統應用服務截然不同的伺服器架構發展，進一步推升伺服器的需求。
在雲端架構提供服務的基礎上，終端被賦予的運算能力相對薄弱，多是藉由雲端來獲取運算與存儲資源，預期5G商轉後數據中心的應用將更多元，帶動微型伺服器（Micro Server Node）與邊際運算（Edge Computing）成長，並將成為2020年後的發展主軸，以實現物聯網與車聯網等應用場景。
受到數據中心的落實驅動，2019年伺服器DRAM全年使用量佔整體DRAM的三成以上，預估2025年在5G相關部署驅動下，更將上升至接近四成。
梁紅偉：面向ABC時代的存儲器技術演進與挑戰
圖9：宇視科技雲存儲開發部部長 梁紅偉
伴隨著雲計算、大數據、物聯網、人工智慧等信息技術的快速發展和傳統產業數字化的轉型，數據量呈現幾何級增長，傳統存儲架構存在性能/容量擴展有限、數據可靠性一般等「通病」，已經不能適用于海量數據存儲。
AI+安防是人工智慧技術商業落地發展最快、市場容量最大的主賽道之一。該領域的智能方案產品配置繁瑣、成本高，方案複雜、組件多、開局調試工作量大，運維複雜、數據路徑長等，對存儲方案提出了新訴求。雲計算方面，傳統存儲在設備資源統一管理、擴展性及節點故障保護上都存在缺陷，無法適應虛擬化數據中心彈性可擴展的未來要求。宇視超融合存儲解決方案針對傳統存儲方案存在的問題、痛點，給出了不一樣的解決之道。
黃士德：主控晶元創新技術應用發展及挑戰
圖10：慧榮科技SSD產品協理 黃士德
隨著5G、AI、物聯網等新科技不斷發展演進、大數據的產出，促使NAND快閃記憶體技術迅速發展，3D NAND快閃記憶體的堆棧層數也已經高達100層以上，單顆NAND快閃記憶體的容量己從32GB提高到64GB、128GB。目前3D NAND正迎來價格下跌刺激高需求、低密度傳統硬碟更換、新的體系架構和數據結構、高帶寬數據流和5G寬頻、人工智慧+存儲等帶來的市場機遇。
NAND快閃記憶體存儲應用越來越廣泛，從記憶卡到行動電話中的eMMC及被廣泛應用的固態硬碟，主控晶元扮演相當重要的關鍵角色，其促使NAND快閃記憶體在不同應用下發揮極致效能。如在自動駕駛汽車存儲領域，自動駕駛汽車需要安全可靠且響應迅速的解決方案，對存儲器的性能、數據校正、可靠性、溫度範圍等均提出了更高需求。
呂國鼎：快閃記憶體控制晶元暨儲存產業資源共享平台大聯盟
圖11：群聯電子營銷暨項目企劃室項目經理 呂國鼎
長久以來，存儲產業一直存在一個迷思， 就是存儲產業市場很大，殊不知，市場很大指的是快閃記憶體晶元（NAND Flash），而非快閃記憶體主控（NAND Controller）。在主控開發成本不斷提升，而主控晶元售價卻不斷下降的狀況，快閃記憶體主控難以獲利的情況及趨勢將愈來愈嚴重。
群聯獨特的營運模式，歷經20年的產業洗禮，不斷成長茁壯。 群聯也將透過最完整的快閃記憶體主控相關IP授權及ASIC設計服務，建構「快閃記憶體主控暨存儲產業資源共享平台大聯盟」，協助國內存儲產業實踐自主可控的中國芯大願。
陳玠瑋：2020年全球快閃記憶體產業發展趨勢
圖12：集邦諮詢DRAMeXchange研究協理 陳玠瑋
全球快閃記憶體產業位元產出量明年年成長為約30%，為近幾年來相對低檔的水平，原因在於快閃記憶體大廠除中國長江存儲較積極投資外，其他競爭者對於資本支出都較以往來得保守，導致新產能增加有限；再加上明年又要轉換新製程到更具挑戰性的128L等級，良率提升速度也會比之前來得緩慢。
另一方面，因為2019年快閃記憶體市場ASP大跌40-50%，讓快閃記憶體大廠由盈轉虧，也是造成2020年擴張保守的主因之一。集邦諮詢預估，明年快閃記憶體價格在供給面成長動能受限，以及需求端有機會回歸正常表現下，將出現另一波漲勢動能。
徐韶甫：晶圓代工工藝飛躍，高端製程坐7趕5追3
圖13：集邦拓墣產業研究院分析師 徐韶甫
2019年在總體經濟不穩定的影響下，全球半導體產業表現呈現衰退，晶圓代工產業更迎來罕見負成長。
而展望2020年，儘管市場氛圍仍有不確定性，但受惠於5G、AI、車用等新興終端應用需求的持續挹注，可望拉抬半導體產業逐漸脫離谷底；尤其在高端運算需求下，IC設計業者持續導入新一代矽智權，與最新製程技術結合，強化晶元效能與晶元客制化能力，提升了先進位程的採用率。
即便在2019年半導體景氣低迷的情形下，7納米節點的採用率仍獲得大幅度的提升，也更加速7納米EUV（極紫外光）與5納米的量產商用，並連帶推升市場對3納米節點的信心，使先進位程研發的時程圖更加明朗化，日後將持續提高先進位程在晶圓代工中的份額，並藉由先進位程工藝的躍進來扶持摩爾定律的延續。
