僅用了18個月！國產快閃記憶體50納米再獲突破，已闖入國際先進水平

說起半導體行業，不得不說存儲行業。目前智能手機離不開內存和快閃記憶體，而這兩者目前基本被三星等國際大廠壟斷。尤其是當前華為手機業務在遭到發展困境，這其中發展國產半導體行業就顯得格外重要。

好的一點是現在國產內存與快閃記憶體紛紛取得了進步。其中"合肥長鑫 兆易創新"挑戰DRAM領域，"長江存儲 紫光集團"挑戰NAND領域。此前合肥長鑫發布了量產的19nm工藝、8GB DDR4規格內存條引起了一番好評。而在快閃記憶體方面，長江存儲宣布128層研發成功、通過客戶驗證。

但是你可能不知道其實在快閃記憶體領域國產還有新的突破。在國產NAND快閃記憶體取得突破的同時，國內的NOR快閃記憶體也在不斷前進。

NOR快閃記憶體不同於NAND快閃記憶體，性能及容量全都落後於後者，但是可靠性高，目前主要用於各種嵌入式領域，比如車載電子、物聯網等等，而武漢新芯是國內主要的NOR快閃記憶體供應商之一。

日前武漢新芯科技XMC公司研發的50nm工藝、浮柵極NOR快閃記憶體正式量產出貨，容量16Mb到256Mb，工作溫度範圍可達-40℃到105℃。

別小看50nm工藝，其實當前全球NOR快閃記憶體主流工藝還停留在90-65nm工藝。這也意味著在NOR領域，武漢新芯科技XMC公司成為中國乃至世界領先的NOR Flash供應商之一。不得不說新芯科技這次量產的50nm工藝NOR已經很先進了，未來可應用於物聯網、可穿戴設備和其它功耗敏感應用提供靈活的設計方案。

從65納米到50納米，武漢新芯快閃記憶體技術躍升用了18個月。武漢新芯新一代50納米技術，無論是存儲單元面積還是存儲密度，均達到國際先進水平。而根據資料來看武漢新芯50納米快閃記憶體技術於2019年12月取得突破，隨後投入量產準備。從65納米到50納米的躍升，武漢新芯用了18個月。隨著50納米NOR快閃記憶體的重大突破，武漢新芯將在性能和成本上進一步提高競爭力。

至少從現在來看，國產內存、快閃記憶體已經取得了不錯的成績，讓中國存儲看到了希望。中國手機品牌也將逐步擺脫國外內存的控制。

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