日本在半導體關鍵核心材料方面再次獲得突破
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06-21
說實話，日本半導體廠商，尤其是在處理器製造方面，甚至設計封裝方面，都沒有可以拿得出手的企業，原因當然在於美國對日本半導體產業的打壓，這些事情主要發生在前些年，而如果因此認為日本在半導體產業，毫無輕重的話，那就大錯特錯了。
日本在半導體產業上的優勢主要集中在半導體材料方面，也就是半導體產業的上游，而且優勢巨大，達到了可以左右半導體產業發展的地步。
正是因為日本半導體產業在上游的巨大優勢，所以才會出現日本對韓國半導體產業進行打壓的情況出現，也讓人們發現，日本在半導體產業上的優勢，非常值得關注，而不是被毫不起眼地忽視掉！
當然，這主要是因為這些年，日本在半導體材料上的持續創新。而現在日本在氮化鎵的研製方面又有了新的突破，將有可能帶來半導體產業的又一次革命。
近日，日本東北大學、日本制鋼所公司和三菱化學公司合作開發出了一種氮化鎵單晶基板量產方法：低壓酸性氨熱法。
通過低壓酸性氨熱法，可以實現直徑2英寸以上的氮化鎵單晶基板的量產。而這種基板，具有高純度、大口徑、晶體鑲嵌性低、基板幾乎沒有曲翹的良好晶體結構特性。如果能普及，將助力性能優異、成熟穩定的氮化鎵垂直功率晶體管進入實用化階段。
日本在半導體產業上的存在主要集中在上游地區，比如一些核心的關鍵材料，晶圓、特種氣體等方面，有著非常大的優勢，這主要就是在於日本企業在產業鏈的上游進行了長時間的技術積累。
而且日本半導體材料廠商所看重的並不是短期利益，而是產業鏈上游的長期技術以及經驗積累，這會導致他們形成產業上游的壟斷，而一旦這種壟斷建立起來之後，而一旦這種技術優勢建立起來之後，就會形成壟斷，帶來巨大的利潤，這是我們的短板。
