量產1β工藝、引入EUV光刻機,美國DRAM押注日台
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日本東京電視台3日報導,美光將開始在日本生產最先進的次世代記憶體,執行副總裁Bhatia接受專訪首度透露,計劃在今年後半開始利用日本廣島工廠生產被稱為「1β」製程的次世代DRAM。
據之前報道,美光將在 2022 年末使用其先進的 CMOS 技術提升其 1-beta 節點,預計 1-gamma 將在 2024 年推出極紫外 (EUV) 光刻技術。該公司正在擴展其平面 DRAM 路線圖,同時繼續投資於3D DRAM 研發。
美光首席執行官 Sanjay Mehrotra 解釋說,過去五年公司在建立技術、產品和製造方面的競爭優勢方面取得了巨大進步。這使該公司為他所謂的「下一個領導時代」做好了準備,因為數字化轉型正在為數據創建創造更多機會,大流行以及跨數據中心、智能邊緣的 5G 實現的超連接加速了數據創建的機會設備和智能用戶設備。
再加上人工智慧 (AI) 和機器學習 (ML) 生成的數據量,預計到 2025 年,創建的數據量將翻一番。「隨著人工智慧演算法變得越來越複雜,他們正在處理更多數據,然後他們需要更多的記憶來處理和得出見解,」Mehrotra 說。
同時,他強調「5G 列車」正在推動 DRAM 內容在智能手機中的更多使用,這些智能手機藉助 AI 演算法進行計算攝影和高級視頻編輯。隨著自動駕駛汽車成為車輪上的數據中心,這些人工智慧演算法也增加了對內存內容的需求。
美光計劃在今後10年間在全球投資1,500億美元,而關於日本廣島工廠的生產規模等細節,Bhatia表示,在預期將獲得日本政府援助的情況下、相關細節會待後續進行協商。
Barron`s、路透社報導, 美光執行長Sanjay Mehrotra 5月12日在舊金山舉辦的法說會預測,至2025年為止,DRAM位元年成長率有望維持15~19%。美光預測,至2025年,用於資料中心的DRAM位元年成長率將達28%、車用市場的DRAM位元年成長率將達40%。美光表示,隨著汽車自駕功能日益強大,記憶體需求也隨之大增,預測全自駕車需要的DRAM是只靠人類駕駛車輛的30倍。
美光執行副總裁兼首席商務官 Sumit Sadana 也強調了公司的重點是推動其整體供應增長與市場需求保持一致。「隨著時間的推移,我們的整體比特供應份額將持平,但我們專註於推動優先份額收益和市場的重要部分。」
解決數據中心市場意味著了解當前架構無法滿足未來工作負載的需求。因此,隨著處理器和內存之間的帶寬變得更加關鍵,市場變得更加多樣化,Sadana 解釋說。通過讓內存更靠近處理器,更專業的處理器和CXL協議可以解決數據移動瓶頸——CXL 將「開啟與內存連接的全新時代,」Sadana 說。
在美光看來,CXL 上內存的真正部署將在 2024 年末 CXL 2.0 推出時開始,然後當 CXL 3.0 標準以非常真實和實用的方式啟用內存池時,將進一步加速,」他說。「內存池和內存分解是我們的客戶正在尋找的關鍵方面。」
更重要的是可以連接到處理器的內存量的擴展,這最終是 CXL 以一種非常重要的方式實現的。這將導致伺服器中的平均 DRAM 內容量增加。
DRAM 的成本可能取決於美光客戶的不同定價,因為該公司推出了一種稱為遠期定價協議 (FPA) 的新定價模式。FPA 不會像目前那樣根據數量而不是價格來制定長期協議,而是根據數量和價格來確定價格。該模型的目標是減少定價波動,儘管傳統上利潤是通過價格波動獲得的。
新的定價模式正值美光面臨一些強大的「通脹逆風」之際,包括能源價格上漲,整個半導體行業也在對工具進行資本投資以滿足需求並應對當前的供應鏈挑戰。這包括幫助預測運營挑戰的 AI 和 ML 平台。
美光全球運營執行副總裁 Manish Bhatia 表示,其技術開發和製造組織以及設備供應商之間的合作使其能夠在生產初期識別和解決工藝和設備的變化。
Bhatia 解釋說,在高資本投資時期,推動更高的生產力尤為重要。「美光對智能製造的承諾確實使我們能夠推動更高的生產力,無論是提高工具吞吐量還是通過實施預測性維護來增加工具正常運行時間。」
Bhatia 表示,隨著設備延遲或交貨時間的延長和越來越普遍,提高設備的生產力變得更加重要,這樣美光才能保持領先技術的生產坡道,並為其客戶實現快速交付。
美光傳砸8千億在日本蓋DRAM新工廠
日刊工業新聞2021月10月20日報導,為了因應來自數據中心等用途的DRAM中長期需求擴大,美光計畫在日本廣島縣現有工廠附近興建先進DRAM新工廠,預計在2024年之前啟用生產,包含半導體製造設備在內的總投資額預估達6,000億~8,000億日圓,而日本政府可能將以補助金等方式提供一部份援助。美光於2013年收購爾必達、取得現有的廣島工廠,之後就積極進行投資,目前廣島工廠廠區內已無增設廠房的空間。
報導指出,美光上述DRAM新工廠的設廠地點考量對象原先也包含台灣(美光在此擁有DRAM工廠)以及新加坡(美光擁有NAND Flash工廠),不過在基於台灣風險以及和供應商之間的合作等觀點進行評估後,美光最終決定落腳日本。
美光今年台中廠將導入EUV
台灣最大投資外商記憶體大廠美光(Micron),宣布今年中科廠將導入極紫外光曝光設備(EUV)增加產能。
美光資深副總裁暨策略長David Moore 今日在COMPUTEX 發表CEO Keynote 主題演講。總裁暨執行長Sanjay Mehrotra 也分享美光在台灣重要營運進展,以及與合作夥伴關係的持續承諾。Sanjay Mehrotra 表示,台灣擁有世界最先進邏輯和動態隨機存取記憶體(DRAM)半導體技術,使美光創建DRAM 卓越製造中心,並以1 萬名員工建構先進半導體製造生態系統,部署人工智慧自動化驅動的智慧製造設施,都有助美光管理生產並提高品質與產能。
美光持續加碼投資台灣,為台灣最大外資企業,也將導入最先進1α 納米DRAM 製程,且今年導入EUV,代表美光持續成長及對台灣的承諾,未來持續增加工作機會。美光團隊也積极參与台灣社區,80% 台灣團隊成員捐助過慈善機構,且自2014 以來,美光基金會捐款台灣社區超過370 萬美元(約新台幣1.1 億元),以推動大學教育和研究合作關係。
市場研究調查機構IC Insights 資料顯示,美光2021 年是全球第三大DRAM 供應商,DRAM 銷售金額成長41%,金額到219 億美元,佔比為全球市場23%。美光1a 納米製程DRAM 也用於低功率通訊應用如5G 智能手機。
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