三星官宣：全球首個3nm GAA工藝量產

三星宣布，其位於韓國的華城工廠開始生產3nm晶元。這是目前半導體製造工藝中最先進的技術，三星也成為了全球唯一一家提供採用下一代全新GAA（Gate-All-Around）架構晶體管技術，提供3nm工藝代工服務的代工企業。

三星3nm GAA工藝初期主要針對高性能計算（HPC）的系統晶元，隨後會擴展到移動SoC。三星表示，與原來採用FinFET的5nm工藝相比，初代3nm GAA製程節點在功耗、性能和面積（PPA）方面有不同程度的改進，其面積減少了16%、性能提高23%、功耗降低45%。到了第二代3nm晶元，面積減少了35%、性能提高30%、功耗降低50%。

這也是三星首次實現GAA「多橋-通道場效應晶體管（MBCFET）」應用，打破了FinFET原有的性能限制，通過降低工作電壓水平來提高能耗比，同時還通過增加驅動電流增強晶元性能。三星電子代工業務部總經理崔時榮表示，希望通過率先採用新工藝繼續保持半導體行業前沿地位，同時會積極創新，建立有助於加速技術成熟的流程。

自2021年第三季度以來，三星電子一直通過與ANSYS、楷登電子、西門子和新思科技在內的三星先進晶圓代工生態系統SAFE（Samsung Advanced Foundry Ecosystem）合作夥伴的緊密協作，提供成熟的設計基礎設施，使其能夠在更短的時間內完善其產品。

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