英特爾或提前開啟埃米時代：Intel 20A/18A計劃2024年進入風險生產階段

在去年的「英特爾加速創新：製程工藝和封裝技術線上發布會」上，英特爾CEO帕特-基爾辛格（Pat Gelsinger）發表了演講，展示了一系列底層技術創新，這些技術將驅動英特爾到2025年乃至更遠未來的新產品開發。

根據英特爾新版的製程工藝路線圖，在Intel 20A製程節點將憑藉RibbonFET和PowerVia兩大突破性技術開啟埃米時代。其中RibbonFET是對Gate All Around晶體管的實現，將成為英特爾自2011年推出FinFET以來的首個全新晶體管架構。該技術加快了晶體管開關速度，同時實現與多鰭結構相同的驅動電流，但佔用的空間更小。PowerVia是英特爾獨有的、業界首個背面電能傳輸網路，通過消除晶圓正面供電布線需求來優化信號傳輸。

據Wccftech報道，近日英特爾展示了一份產品路線圖，顯示Intel 4工藝已進入風險生產階段，不知道這是否意味著Meteor Lake能在2023年推出，不需要如傳言那樣延期到2024年。此外，路線圖還顯示Intel 20A工藝將於2024年上半年進入風險生產階段，將被Arrow Lake所採用，而Intel 18A工藝則是在2024年下半年進入風險生產階段。

英特爾技術開發總經理Ann B Kelleher表示，摩爾定律是關於增加功能的整合，當我們展望未來10到20年時，有一條充滿創新的通道。考慮到英特爾在10nm工藝曾經遇到的挫折，當被問及Intel 20A製程節點應用RibbonFET和PowerVia兩大技術的過渡及相關風險時，Ann B Kelleher稱不一定會同時進行，但已看到轉移到PowerVia並啟用RibbonFET技術的明顯優勢，這也促使英特爾加快了開發的工作。

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