碳納米管在相同尺寸上的性能超過硅晶體管

硅基互補金屬氧化物半導體（CMOS）晶體管已經很難再繼續縮小下去，碳納米管是替代硅的候選納米材料之一，碳納米管晶體管的主要技術挑戰過去幾年已被陸續得到解決。中國北京大學的科學家開發出柵長5納米的碳納米管場效應晶體管，聲稱其性能超過相同尺寸的硅晶體管。他們的研究報告發表在今天出版的《科學》期刊上。研究人員報告，碳納米管晶體管比硅基晶體管操作速度更快，工作電壓更低。

論文通訊作者Lian-Mao Peng稱，碳納米管晶體管的柵電容更小，即使硅基設備縮小到碳納米管設備相同尺寸，後者的開關速度仍然更快。10納米碳納米管CMOS柵電容導致的延遲大約為70飛秒，僅為英特爾14納米硅基CMOS的三分之一。Peng預測，碳納米管電子產品有很好的機會到2022年取代硅基CMOS。