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重磅:三進位存儲器可運行計算任務!

導讀


存儲晶元,一般都是用於數據的存儲和訪問。然而,傳統意義上講,計算任務,一般是由處理器晶元來完成。可是,最近一支國際性科學家團隊找到了一種創新途徑,設計了一種三進位系統存儲晶元。它即不同於傳統的二進位數字系統,又可以拋開處理器,自己運行「計算任務」。



重磅:三進位存儲器可運行計算任務!


顯微鏡下的 ReRAM電路


(圖片來源於: Wonjoo Kim, Peter Grünberg Institut 7, Forschungszentrum Jülich GmbH)


簡介

這種新型存儲器晶元是由新加坡南洋理工大學、德國亞琛工業大學、 歐洲最大的跨學科研究中心德國尤利希研究中心聯合開發。


南洋理工大學的助理教授Anupam Chattopadhyay 、德國亞琛工業大學的教授 Rainer Waser、德國尤利希研究中心的 Vikas Rana博士,參與了這項開發。


最近,這項科學發現發表於《科學報告》雜誌(自然出版集團下屬的一個同行評議的雜誌)。


ReRAM


這項研究使用了基於氧化還原反應的可變電阻式存儲器(ReRAM)。

ReRAM 一般是通過改變絕緣固體材料的電阻,實現數據存儲的電子器件,它的原理基於憶阻器。



重磅:三進位存儲器可運行計算任務!



惠普實驗室設計的憶阻器


(圖片來源於:維基百科)

它既有可以和DRAM媲美的讀寫速度,又具有固態硬碟的非易失性,是即將商用的速度最快的存儲器模塊。


目前,致力於ReRAM 商業化和開發企業,包括閃迪、惠普、索尼、松下、美光、海力士等等。


三進位


目前,市場上所有的計算機處理器,都使用了二進位系統,即數據由兩種狀態組成,0或者1,例如字母B,在計算機內就存儲為「01000010」的形式。


重磅:三進位存儲器可運行計算任務!



數字1到27,三進位(第一行)、二進位(第二行)、十進位(第三行)數字對照表。


(圖片來源於:維基百科)


然而,ReRAM 電路所表示的數據狀態,並不是0和1兩種,它可以存儲和處理數碼有:0、1、2,即「三進位數字系統」,從而可以存儲更多的數據狀態。


原因就是,ReRAM使用不同的電阻來存儲信息,從原理上來說,可以突破現有二進位系統的限制,顯著提升計算任務的處理速度。


來自南洋理工大學的計算科學和工程系助理教授 Chattopadhyay 是該存儲器三進位系統的主要設計者。他認為在目前的計算機系統,所有的信息在計算處理前,必須以一連串的0或者1的數據形式存儲。所以,他解釋道:


「這好比使用小型翻譯器和某人進行長篇對話,這會是一個耗時耗力的過程。我們現在增加這個小型翻譯器的容量,使它可以更加有效地處理數據。」


計算


目前,移動設備和電腦,都是沿用傳統的體系結構,從內存中獲取數據,然後傳輸到處理器單元,再進行計算。


然而,南洋理工大學設計的這種具有計算功能的存儲器,無需在處理器和存儲器之間進行數據傳輸,不僅節省了時間,而且降低了能耗


意義


計算機軟體正在變得越來越複雜,數據中心需要處理比以往更大量的數據。所以,對於全球產業來講,尋找更加快速高效的計算處理,是目前最迫切的需求之一。


相比當前的計算機和移動設備中的處理器速度,該存儲器設備的速度可提高達兩倍或者兩倍以上。存儲器晶元能夠完成計算任務,就無需處理器對於數據的處理,這樣不僅速度會加快,而且空間上可以節省不少,讓電子設備變得更小和更輕


研究人員認為,因為ReRAM 接近商用和上市,所以使用ReRAM進行計算,會比其他即將到來的計算技術成本更低。


Waser 教授解釋道:


「ReRAM,目前是一種通用非易失存儲器的概念。這些設備能耗低、速度快,體積可以壓縮的更小。它們不僅可用於數據存儲,也可以用於計算,為在信息技術中更加有效的利用能源,開闢了一條全新的途徑。」


ReRAM性能卓越,它不僅具有長期的存儲容量、低能耗,也可以進行納米級製造。很多半導體公司,紛紛被吸引,投資研發這項技術。同時,它也將對於革新消費電子和可穿戴產品的設計產生深遠的影響


未來


這個研究團隊目前正在尋找行業合作夥伴,利用這項重要科學進展。


與此同時,研究人員也在進一步開發ReRAM,未來有望處理比三進位更多的狀態,更大幅度地提高計算機計算速度。


另外,他們也希望在實際的計算場景中測試這項技術的性能。


參考資料


【1】http://media.ntu.edu.sg/NewsReleases/Pages/newsdetail.aspx?news=1fcb4383-4482-4be9-8298-27b5ae88b572


【2】Wonjoo Kim, Anupam Chattopadhyay, Anne Siemon, Eike Linn, Rainer Waser, Vikas Rana.Multistate Memristive Tantalum Oxide Devices for Ternary Arithmetic. Scientific Reports, 2016; 6: 36652 DOI: 10.1038/srep36652

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