18/17nm工藝DRAM內存進展不順，4GB內存Q2再漲12.5%

持續了接近一年的存儲晶元漲價已經讓NAND快閃記憶體、DRAM內存相關產品居高不下，不論是PC還是伺服器、智能手機市場的產品都是一路水漲船高。本來三星、美光、SK Hynix今年要大規模量產20nm工藝以內的18nm、17nm內存晶元，結果進展並不順利，產能還會繼續吃緊，4GB的DDR4 PC內存Q2季度合約價預計會從24美元漲至27美元，提升12.5%。

18/17nm工藝的新一代內存進度放緩，導致PC內存Q2季度繼續漲價

DRAMeXchange分析師Avril Wu在最新報告中指出PC OEM廠商原本以為三星、美光升級18nm、17nm工藝的內存晶元之後，內存產品供應量會加大，有助於緩解內存缺貨漲價的問題，不料天不遂人願，內存廠商在新製程轉換上遇到了良率、樣品認證等問題，以致於Q2季度的供應還會繼續吃緊，價格繼續上漲也是定局。

Q1季度4GB DDR4內存模組的合約價為24美元，但是Q2季度將達到27美元，上漲12.5%，創下三個月來的新高。

三星去年3月底就率先宣布量產18nm工藝內存，當初寫這個新聞時業界給出的預期是下半年內存價格會大降40%，結果......但是從當時的情況來看，業界預期降價也是有理由的，因為18nm工藝的內存容量更大，性能更好，產能也會更多，一旦三星大規模量產，內存產品按理說確實會降價，只是沒想到市場情況發生了變化。

就18nm工藝來說，三星在20nm之後的節點也遇到了很多技術困難，這不僅與晶元設計、製造有關，甚至在某些平台上還出現了兼容性問題，因此18nm內存的出貨遭遇延期，市場供應依然緊缺。

美光公司Q1季度宣布出樣17nm工藝的新一代內存，但是進展也比預計的晚一些，美光很可能推遲到今年Q2季度之後再來量產17nm內存。

相比美光、三星，SK Hynix是唯一一家沒有宣布製程工藝轉換的內存公司了，其DRAM內存產品維持正常出貨。

這三家內存廠商在新技術轉換過程遇到的問題說明了20nm工藝之後製程升級的門檻提高了，過程要比想像中困難，耗費的時間也比預期更久。

除了PC內存在Q2季度漲價12.5%之外，其他市場的內存也會漲價，伺服器內存預計漲價10-15%，不過Q2季度移動內存漲價幅度可能只有5%，之前最熱門的市場現在反而漲幅最低，這主要是因為中國市場上的智能手機需求下滑，出貨量放緩所致。