三星第二代10nm LPP工藝完成質量驗證,即將進入量產階段
2016年10月三星宣布正式量產10nm工藝處理器,首先享用到第一代10nm LPE工藝的是自家Exynos 8895 SoC和高通驍龍835 SoC,與此時同時的Intel和台積電還在玩14、16nm。今年三月,外媒ETnews報道三星對於10nm工藝一次性擴建投資甚至達到150億人民幣,意味著三星在半導體工藝上有新的大動作。今天三星正式宣布已經完成了第二代10nm LPP工藝的質量驗證工作,即將進入量產階段。
早前Intel曾經炮轟過其它的廠商在半導體工藝上以命名取勝,實際情況是TSMC 20nm、16nm及三星14nm工藝的柵極距、鰭片間距、金屬柵距及邏輯晶元高度等等指標,都全面落後於Intel,尤其是在晶體管密度上是其他家工藝的1.3倍。
三星的10nm工藝應該能很大程度上彌補了之前的不足,根據之前的說法是第一代10nm LPE(Low Power Early)與14nm製程相比,10nm製程製造的晶元性能提升27%,同時功耗降低達40%,並且10nm製程允許每個晶圓多製造30%的晶元。而第二代10nm LPP(Low Power Plus)工藝的量產難題已經被攻克,三星已經開始在韓國漢城的S3生產線上部署相關設備,量產在即。
不過LPE和LPP之間並不是取代關係,因為LPE用的就是低功耗技術,製造出來的晶元更適合用於移動端,而LPP追求的是高性能,更加適合用於對功耗不敏感的設備上,此外第三代10nm LPU製程的研發工作早已提上日程,而LPU更加合適用於高性能、密集型計算應用上。
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