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台積電小心過度依賴iPhone,需求下滑 台積電上月營收創3年來單月最低;英特爾大連工廠將進一步增資擴

1.外資:台積電小心過度依賴 iPhone;


2.客戶愈來愈集中 台積電營運受牽連;


3.iPhone需求下滑 台積電上月營收創3年來單月最低;


4.藉助12nm 台積電再攬海思、聯發科、NVIDIA訂單;


5.英特爾大連工廠將進一步增資擴建;

6.由材料分析觀點看英特爾14nm/14nm+演進


1.外資:台積電小心過度依賴 iPhone;


今年以來蘋果股價大漲 30%,市值衝破 8,000 億美元,全球市值王地位更加鞏固。蘋果樂開懷,但是供應商卻笑不出來。蘋果為了維護自身毛利,狠砍價格,相關業者苦哈哈。


Nikkei Asian Review 11 日報導,台灣消息指出,今年第一季蘋果 iPhone 7 供應商的價格,遭砍 10~20%。熟悉蘋果供應鏈的人士透露,iPhone 銷量成長放緩,不如過往 5 年強勁,定價更為困難。供應商想提高利潤,或許需要走向自動化,但這並非唯一途徑。


以鴻海和和碩為例,這兩家公司五成銷售來自蘋果。2016 年 iPhone 買氣走軟,兩家廠商的營收都出現年減。小熒幕的 iPhone 7 買氣不振,更讓和碩 Q1 財報欠佳,Q2 可能繼續低迷。鴻海董事長郭台銘投資夏普,並跨足機器人、雲端科技,想減少對蘋果的依賴,但是新投資帶來的收益,都遠比不上蘋果。


再來看台積電,儘管台積獨攬蘋果晶片訂單,促使台積電 2016 年營收破新高,達台幣 9,479.4 億元。但是過度依賴蘋果讓外界憂心忡忡。細看 2016 年的台積電營收,蘋果貢獻了 16%,估計今年蘋果貢獻比重還會進一步提高到 21%。


Sanford C. Bernstein 分析師 Mark Li 強調,倘若沒有蘋果,台積電今年營收將驟減 20%。不僅如此,要是少了蘋果,2012 年以來台積電營收擴張將減半;這段期間台積電營收成長有 42% 來自蘋果。Li 警告,iPhone 是台積電的最大風險,出貨若有延誤或干擾,將損害台積電下半年表現。


報導指出,台積電須以 Imagination Technologies 和 Dialog Semiconductor 為鑒,這兩家公司高度仰賴蘋果,傳出痛失蘋果大單之後,股價雙雙慘跌。 精實新聞


2.客戶愈來愈集中 台積電營運受牽連;


台積電4月營收重摔逾三成,法人指出,應是受到蘋果、輝達及聯發科等三大客戶同步下修投片量,導致營收銳減,但前二者投片量可望自6月起增溫,下半年營運可望勁升。

台積電董事長張忠謀出席第1季法說會時就曾明確指出,台積電客戶愈來愈集中,因此會因少數客戶庫存調整影響營收表現。 當時他已預告,台積電營收會連二季下滑。


對照台積電4月營收表現,從高峰的900多億元,跌落到600億元以下,單月落差300多億元,顯見就是因為少數幾個客戶減少投片量,造成台積電單月營收劇烈波動。


法人分析,台積電第2季提到主要客戶進行庫存調整,以及某些客戶因產品市佔率遭侵蝕,是第2季營收下滑的關鍵。


美林證券科技產業分析師程翔指出,根據美林證券對全球科技業的庫存調查,第1季結束後,無晶圓廠的庫存問題未解,庫存天數攀升到88天,較五年同季節平均天數多14天,更是自1997年有此調查以來最高。


好消息是,晶圓代工廠庫存控制得當,為43天,低於五年同季節均值的52天。


法人觀察,去年表現亮眼的輝達,因為進入新舊產品交替,第1季末投片即大踩煞車,雖然輝達昨天公布財報依舊亮眼,但新舊產品轉換,讓台積電訂單受重創。


同樣處於新舊產品交替還包括蘋果。 據了解,蘋果近期已減緩由台積電16奈米製程代工的A10處理器拉貨,與市場正期待購買十周年特別機款全新iPhone 8相吻合。


另一手機晶元大廠聯發科,也因受到高通和展訊夾擊,市佔率大幅滑落,在優先消化庫存下,在台積電投片也同步踩煞車。經濟日報


3.iPhone需求下滑 台積電上月營收創3年來單月最低;


網易科技訊5月10日消息,據國外媒體報道,由於市場對蘋果重要產品iPhone需求的下滑,台灣消費電子代工廠商台積電公布了2014年以來營收最低的月度財報。

台積電今天公布的月度財報顯示,其4月份銷售額至569億新台幣(約合19億美元),環比33.8%,同比下滑14.9%,創下該公司33個月以來單月最低水平。台積電是蘋果重要的晶元製造供應商,該公司上個月預計其季度銷售額將低於分析師預期,這其中也有部分原因是受到台灣貨幣堅挺的不利影響,堅挺的新台幣給島內製造商增加了負擔。


蘋果本月份公布的報告顯示其iPhone銷量陷入令人吃驚的下滑,強調在2017年晚些時候推出的新一代iPhone中需要實現突破性的功能。蘋果傳統上每兩年就要改變iPhone的外形,不過於去年9月份發布的iPhone 7卻是例外,該款產品與其前一代相比具有類似的外形和功能。這可能會鼓勵更多用戶保持所用設備,直到新一代產品推出。


今年經過重新設計的10周年紀念版iPhone,據稱配置的是全屏幕前端和先進的有機發光二極體(OLED)顯示屏。


此外,台積電還正面臨來自三星電子公司等企業晶元產品日益增強的競爭。儘管打敗三星電子公司成為iPhone最大的晶元集製造商,但是台積電在Android設備的晶元市場並不佔據領導地位,而全球大多數智能手機使用的Android平台。


今年前4個月,台積電總營收2907.9億新台幣,較去年同期增長7.6%。


台積電預計,2017年第二季度其綜合營收環比增長8%至9%。台積電高級副總裁、首席財務官何麗梅表示,由於第二季度供應鏈庫存管理和移動產品季節性因素,第二季度市場需求環比將會更加疲軟。


台積電已經將其2017年全球代工業增長幅度預期從7%下調至5%,聲稱供應鏈庫存上升。不過,台積電2017年銷售額增長5%至10%的目標沒有改變。(天門山)


4.藉助12nm 台積電再攬海思、聯發科、NVIDIA訂單;


集微網消息,全球半導體大廠 10nm 製程首戰暫告一段落,由於製程工藝上的良率問題,即使是台積電或者三星,均表示進入10nm 製程絕非易事。據台灣電子時報報道,台積電 10nm 製程客戶主要有蘋果、聯發科和海思,但是目前台積電的10nm 製程已不再接單,並將資源全部移向 12nm 製程。


由於多數 IC 客戶認為10nm 製程難度高且成本貴,故而十分歡迎 12nm 製程工藝。最新消息顯示,台積電的 12nm 製程已拿下NVIDIA、聯發科、海思等 IC 設計大客戶的不同產品線訂單。其中,NVIDIA主要生產人工智慧和自動駕駛等繪圖處理器,包括 Xavier SoC 處理器系列 Volta GPU 晶元;聯發科也已將10nm晶元轉至 12nm 製程,主要是生產通訊處理器晶元。

據悉,台積電的 12nm 製程是現有 16nm 工藝的第四代縮微改良版本,改用全新名字,目的是反擊三星 14nm 製程、GlobalFoundries 的 12nm FD-SOI製程,掌控 10-28nm 的代工市場版圖。不過,相關消息仍需台積電正式公布。


12 nm 工藝相比於現在的 16 nm來說,不僅擁有更高的晶體管集成度,而且在性能和功耗方面進一步優化,有較大的提升幅度。GlobalFoundries 一直強調 12nm FD-SOI 製程比台積電16nm FinFET 製程成本低又省電,光罩成本更低,半導體人士認為,台積電推出 12nm 之後,將讓競爭對手難有機可趁。


5.英特爾大連工廠將進一步增資擴建;


集微網消息,5月10日,英特爾公司在英特爾半導體(大連)有限公司正式發布DC P4500及P4600系列兩款世界領先的採用3D NAND技術的全新數據中心級固態盤新產品,並宣布將對英特爾大連工廠進一步增資擴建。這兩款產品主要為雲存儲解決方案所設計,可應用於軟體定義存儲及融合式基礎設施,代表著世界領先水平,標誌著大連市集成電路產業躍上新高度,為大連成長為世界級的存儲製造中心奠定了基礎。


6.由材料分析觀點看英特爾14nm/14nm+演進


以材料分析觀點觀察英特爾14nm Skylake與14nm plus Kabylake發現,在這兩代製程之間存在許多不同之處,製程上眾多細微的更動調整,造就了最後的性能提升


半導體大廠英特爾(Intel)創始人之一高登?摩爾(Gordon Moore)在1965年發表了一篇文章,提出了積體電路上可容納的電晶體數量,將以每24個月增加一倍的規律發展,這個理論經過數次演變,成為半導體產業界奉為圭臬的「摩爾定律」(Moore』s Law)。


為了使微處理器晶元更有效率地發展,英特爾指出,每一次微縮製程的更新與晶元微結構的升級,其推陳的時機應該錯開,因此於2007年提出Tick-Tock(命名源於鐘擺聲音)的策略模式,其中Tick代表著一代微處理器晶元[製程]上的更新,包含製程升級、縮小面積、降低功率消耗;而Tock則是在隔年以Tick的晶元製程基礎,更新其微處理器[架構],例如導入新特性、新指令以及提升整體效能等。


然而,這樣的模式在2016年被英特爾自己打破,起因於14nm之後製程微縮難度大幅提高,且製程技術越來越接近物理極限,在此環境下,英特爾被迫修正提出「製程、架構、最佳化」(P.A.O.)的新策略模式(如圖1所示);而目前英特爾市面上推出的14nm製程產品,對應這3個世代的微處理器名稱分別為Broadwell(P)、Skylake(A)、Kabylake(O)。


圖1:英特爾的市場策略模式演進:左為Tick-Tock,右為P.A.O.架構 (資料來源:Intel Developer Forum 2016)

此策略另一目的在於試圖把目前看似落後的10nm戰線拉到2017年下半甚至更久,就在這個10nm製程大戰開始前夕,本文將以材料分析的觀點,切入英特爾的14nm製程技術,進一步分析其架構最佳化產品14nm以及14nm plus (14nm+)兩代間的差異。


英特爾為14nm plus製程調整了部份技術(如圖2所示),包括改善鰭片(Fin)的形貌、改變電晶體通道間的應變,以及整合設計與製造等,並宣稱整體效能提高了12%。後續國內外許多文章報導中,多半以數據來說明其製程差異,但這較不易一窺全貌。


近年來材料分析技術日新月異,本文將利用獨特的製程技術製備超薄試片,並以高解析度的穿透式電子顯微鏡(TEM)影像分析技術,共同呈現微小的奈米級差異,並以微區的能量散布光譜面分析結果(EDS mapping)為輔助,在圖中以不同顏色呈現各種元素,讓讀者得以連結形貌與成份兩者間的關聯,從而了解製程的演進。

台積電小心過度依賴iPhone,需求下滑 台積電上月營收創3年來單月最低;英特爾大連工廠將進一步增資擴



圖2:英特爾14nm plus製程改善 (資料來源: Intel Developer Forum 2016)


SRAM大小及密度


靜態隨機存取記憶體(SRAM)元件的電路結構為6個電晶體(6T)組成,一般而言,4個為儲存單元,2個用於控制開關,通稱6T SRAM。隨著材料開發的演進,越小單位面積的6T SRAM可以在同一尺寸下植入更多的記憶單元,故6T SRAM單元面積通常被視為衡量製程優劣的重要因子。我們針對高性能SRAM區域進行TEM平面圖觀察(如圖3a、3b所示),比較兩代產品的高性能SRAM差異時發現,每單元大小均十分接近,皆落在0.068um2上下,再從EDS成份分析(如圖3 c、3d所示)觀察,也沒有明顯的材料更換。比較兩者的差異,推測雖然14nm到14nm plus搭載的電晶體數量沒有明顯更動,但卻仍高出12%效能,內部應該有更細微的設計來主導效能的提升。

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圖3:(a)14nm SRAM區域的TEM影像;(b)14nm plus SRAM區域的TEM影像;(c)14nm SRAM區域的EDS映射圖;(d)14nm plus SRAM區域的EDS映射圖 (來源:泛銓科技)


內部互連尺寸微縮


雖然SRAM單元面積沒有太大的變化,但藉由SEM觀察垂直結構變化(如圖4所示),可以得知14nm plus在製程上整體厚度稍微縮減了2~3%,內部互連的各層金屬垂直排列更加緊密以提升導線效能,然而這可能導致更嚴重的寄生電容以及訊號延遲現象,推測英特爾在14nm plus的晶元中調整了介電層材料,或者在介電層中導入空氣,有效降低整體介電常數以避免相關問題。

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圖4:14nm金屬內部互連的SEM影像:(a)14nm;(b)14nm plus (資料來源:泛銓科技)


FinFET結構與特性


進一步探討兩代製程的Fin結構進展,高解析的穿透式電子顯微鏡發揮極佳的解像力,從圖5的影像中清楚呈現N通道金屬氧化半導體(NMOS)閘極橫跨在鰭狀矽基板的形貌,並借量測指出鰭片線寬尺寸間距由8nm縮小到7nm,鰭片高度由42nm提升至46nm,這些改變提高整體有效通道寬度(鰭片與閘極的接觸面積),進而提升效能。

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圖5:(a)14nm與(b)14nm plus平行閘極方向之FinFET結構TEM影像,以及其鰭片間距、線寬與高度之示意圖 (來源:泛銓科技)


SiGe組成與應變


另一個值得探討的項目是矽鍺(SiGe)扮演的角色。目前的製程經常利用SiGe與Si的晶格常數差異產生應變,從而提高載子的遷移率,這使得邏輯元件在相同尺寸下,性能可以得到很大的提升。圖6(a)與(b)即是14nm以及14nm plus平行鰭片方向閘極與SiGe部位的STEM影像及其EDS映射圖。如果單純以影像來看,SiGe的面積尺寸並沒有太大的變異,但是從成份分析的角度上,可以清楚看到14nm的SiGe應是一個整體結構,成份濃度也呈現均勻現象。有趣的是,14nm plus中的SiGe明顯呈現兩種不同濃度的份成分布,相信在這個環節中英特爾導入了不一樣的製程方式,推測可以得到更大應變的SiGe,使得載子的遷移率能更有效地提升。

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圖6:(a)14nm與(b)14nm plus平行Fin方向閘極與SiGe結構,以及其EDS元素分布映射 (資料來源:泛銓科技)


閘極大小與形貌


另一方面,根據在圖6的觀察發現,英特爾在新的製程中改變閘極形貌,比較兩代製程,14nm plus的閘極深度更深,由原先的V型結構調整成更接近U型深厚紮實的閘極結構,填入鎢(W)金屬的尺寸深度差距將近2-3倍,即使寬度沒有明確的縮減,這樣的調整推估亦可有效增加閘極效能。


結語


以材料分析觀點觀察英特爾14nm Skylake與14nm plus Kabylake發現,在這兩代製程之間存在許多不同之處,製程上眾多細微的更動調整,造就了最後的性能提升。如今,後摩爾定律(Post Moore Law)時代已經來臨,製程微縮將會面臨更多的挑戰,此時製程的[驗證能力]在這場戰爭中已是不可或缺的武器,如何精準地在幾個奈米的差距中找到差異,絕對是致勝關鍵;面對更小更困難的製程,材料分析的技術扮演著至關重要的角色,未來將跟隨半導體製程微縮的腳步,一起見證下一個世代的來臨。eettaiwan

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