TSMC：7nm高性能晶元6月流片，2019年試產5nm工藝

三星今天宣布了未來三年的半導體製造工藝路線圖，將推出8nm、7nm、6nm、5nm及4nm工藝，其中2020年的4nm工藝將是一個重大技術突破，將會採用全新的Multi Bridge Channel FET結構（簡稱MBCFET，多溝道場效應管）解決現有FinFET晶體管的缺陷。無獨有偶，三星的老對手TSMC今天也召開了年度技術大會，雖然沒有宣布三星4nm那樣的技術突破，不過TSMC表示10nm已經開始量產，7nm明年就能量產，5nm則會在2019年風險試產。

TSMC公司聯席CEO魏哲家在會議上提到他們已經累計服務了450多家代工夥伴，涉及移動運算、高性能計算、自動駕駛及IoT物聯網等領域，平均算下來每周新增一家客戶。

在半導體製程工藝上，TSMC表示移動領域的10nm工藝已經量產，7nm已經有12個客戶流片，預計2018年量產，5nm則會在2019年風險試產。

高性能部分，7nm晶元在6月份會有流片——TSMC的高性能客戶不多（相對移動、低功耗產品來說），NVIDIA還有之前的AMD都算是高性能晶元用戶，目前公開宣布7nm路線圖的也沒幾家，NVIDIA的7nm晶元大概沒這麼早，AMD倒是說今年晚些時候有7nm晶元流片，不過時間也不太對得上。

雖然AMD之前公布的路線圖中說7nm還是繼續由GF代工，但是從之前雙方的晶圓供應協議來看，AMD在7nm節點保留了選擇別的代工夥伴的權利，GPU這種高性能晶元轉交給TSMC代工也不是沒可能。大家覺得AMD會重新回歸TSMC代工的懷抱嗎？贊成的加小超哥（id：95101417）微信來聊聊。

除此之外，TSMC的16nm FFC晶元在車載電子領域也會有8款晶元流片，7nm工藝還將在2018年通過AEC-Q100認證。

物聯網方面，TSMC的55nm、40nm及28nm ULP工藝今年會有超過70款晶元流片。

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