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三星步華為後塵 S8出現「快閃記憶體門」

2017年5月8日消息,持續近一個月的華為 P10「快閃記憶體門」事件剛剛有了些許風平浪靜,類似的問題就再次出現在了三星最新一代旗艦S8上。同樣的問題接連出現,著實讓人有些緩不過神來。

三星步華為後塵 S8出現「快閃記憶體門」


日前,一位 lch920619x的技術愛好者在知名技術論壇 xda上發表了一些自己的研究發現。該網友購買的 Exynos 8895 版 Galaxy S8 (SM-G950FD)所採用的是 UFS 2.1 快閃記憶體(型號 KLUCG4J1ED – B0C1)。不過,他懷疑其他機友可能存在不同情況,於是便發起調查,呼籲大家對手上的 S8 和 S8+ 進行測試。


之後,部分機友通過測試後發現,S8 竟然混用了 UFS 2.0 和 UFS 2.1 兩種快閃記憶體,只有 S8+ 使用了 UFS 2.1 快閃記憶體。然而,三星的官方介紹中卻並沒有具體區分 UFS 快閃記憶體的介紹,所有宣傳介紹都是「UFS 2.1」。


更有意思的是,在美國等海外國家和地區,三星竟然還悄悄地修改了UFS 2.1 在參數信息中的介紹,甚至刪去了UFS 2.1快閃記憶體的描述。如果沒有問題,三星又為何在這款新機上市之際,悄悄修改新機的配置描述,這未免有些此地無銀三百兩的味道。


要知道,在這款旗艦新機當中,三星可是把UFS 2.1快閃記憶體當作Galaxy S8的重點來做宣傳的。然而在實際當中,卻存在UFS 2.1和UFS 2.0混用的現象。宣傳和實際不符,這難免讓人質疑,三星在Galaxy S8的配置上或許存在嫌疑的嫌疑。

綜合來自於各方的消息報道發現,配置更高、價格更貴的 Galaxy S8+ 幾乎全部使用了 UDS 2.1,Exynos 8895 版S8雖然也存在UFS 2.0和 UFS 2.1 混用的情況,但對UFS 2.0採用的佔比相對較少,情況最為嚴重的是高通驍龍835版S8,UFS 2.0和 UFS 2.1的混用情況幾乎是一半對一半。


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