追趕三星！美光力拚 13 納米 DRAM、SK 海力士衝刺 18 納米

三星電子製程領先，率先量產 18 納米 DRAM，把同業拋在腦後。競爭對手美光（Micron）和 SK 海力士（SK Hynix）不甘示弱，紛紛砸錢要追上三星。

Nikkei Asian Review、BusinessKorea 報導，三星是 DRAM 龍頭，製程領先對手 1~2 年，2016 年下半首先量產 18 納米 DRAM，計劃今年下半推進至 15 納米。IHS Markit 估計，今年底為止，三星打算把 18 納米 DRAM 的生產比重，提高至 30%。業界人士說，三星會以利潤優先，不會擴產搶市，打亂價格。

三星一馬當先，DRAM 第三大廠美光拚命追趕，計劃未來 2、3 年砸下 20 億美元，研發 13 納米 DRAM 製程。美光在日本廣島廠增設無塵室設備，併購買了多項高價生產儀器。進入 13 納米製程之後，同一片晶圓能分割成更多晶元，生產力將提高 20%。美光已於今年第一季量產 18 納米 DRAM。

與此同時，SK 海力士也準備在今年下半量產電腦用的 18 納米 DRAM，接著再投入移動設備用的 18 納米 DRAM。SK 海力士會優先提高 21 納米製程良率，之後轉進 20 納米、再轉向 18 納米。SK 海力士人員透露，該公司正在研發 1y DRAM 製程，但是還不確定量產時間。

在此之前，三星電子的韓國華城廠（Hwaseong），即將擴產的傳聞延燒許久。最新消息顯示，三星決定投資 3 萬億韓元（約 26.4 億美元）提升 DRAM 產能。不過由於未來 11 線不再生產 DRAM，產能一增一減之下，應該不至於衝擊 DRAM 供給。

（本文由 MoneyDJ新聞授權轉載；首圖來源：SK 海力士）

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