三星加速量產64層V-NAND快閃記憶體：提速50%，節能30%

從去年下半年開始的NAND快閃記憶體缺貨、漲價已經持續一整年了，今晚的超能分享會也會關注NAND快閃記憶體發展及降價問題，大家別錯過。2017年也是3D NAND快閃記憶體超越2D NAND成為主流的關鍵，堆棧層數也從去年的32層、48層提升到了64層、72層。三星是最早量產64層堆棧3D NAND快閃記憶體的，現在官方又宣布64層256Gbi容量的V-NAND快閃記憶體正在加速量產，性能比前代48層V-NAND提升50%，能耗也降低了30%，生產率也提升了30%。

三星去年底就開始量產64層V-NAND快閃記憶體了，除了韓國本土的工廠，中國西安市的NAND晶圓廠也是三星最重要的產地之一。今年1月份三星開始正式出貨64層堆棧快閃記憶體的SSD硬碟，2017年上半年產能還在繼續提升，三星現在宣布大規模量產64層V-NAND快閃記憶體跟三星位於韓國的平澤工廠正式完工有關，這是三星2015年144億美元半導體投資的一部分，號稱全球最大的半導體工廠，今年7月份正式量產，未來將佔據三星NAND產能的10-20%。

與西數、東芝宣布的64層堆棧BiCS TLC類型快閃記憶體核心容量達到512Gb不同，三星現在的64層V-NAND快閃記憶體TLC（3 bit）類型快閃記憶體容量還是256Gb的，不過介面速率達到了1Gbps，比早前曝光的800Mbs還要高。三星官方稱64層V-NAND快閃記憶體的性能比三星之前48層堆棧的256Gb TLC快閃記憶體快了50%。

除了性能之外，64層V-NAND快閃記憶體能效也有所提升，輸入電壓從48層V-NAND的3.3V降至2.5V，能效提升了30%，此外可靠性也提升了20%。此外，64層V-NAND快閃記憶體的生產效率也提升了30%。

在64層V-NAND快閃記憶體的基礎上，三星還在開發更先進的3D快閃記憶體，下一步目標是堆棧90層以上，早前傳聞說是96層堆棧。

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