增速30％ 三星擴展64層256GB V-NAND至全線NAND產品

三星電子今天宣布，已開始批量生產64層256Gb V-NAND快閃記憶體晶元，傳輸速度達到全球最快的1Gb，除了SSD領域，該快閃記憶體晶元還將應用於伺服器，PC和移動設備。

與之前的48位256Gb V-NAND相比，新的64層256Gb V-NAND相比之前的48層256Gb V-NAND，有超過30％的生產率增益。此外，64層V-NAND的電路具有2.5V輸入電壓，與使用48層V-NAND的3.3V相比，能量效率提高了約30％。此外，新的V-NAND電池的可靠性與其前身相比增加了約20％。

三星表示，在未來三星還將通過堆疊超過90層的單元陣列，以生產具有1Tb以上容量的V-NAND晶元。

本文編輯：宋陽

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