IBM獲5 nm晶元突破 手機續航提升2、3倍

摩爾定律已死？IBM 與其晶元合作夥伴 Globalfoundries 和三星可不同意。

日前，IBM 宣布，三家研發了一種晶體管製造技術，將為 5 nm 晶元鋪平道路。雖然團隊所使用的晶元蝕刻技術與 7 nm 晶元同為極紫外光刻（EUV），但卻沒有採用有利於硅納米片堆疊的鰭式場效應晶體管（FinFET）設計。

據 IBM 介紹，新技術能夠將更多的晶體管容納到更小的晶元組裡，據稱一塊指甲蓋大小的晶元上集成晶體管數量可達 300 億，比起幾年前 7 nm 晶元集成 200 億個晶體管的突破也毫不遜色。

IBM認為該技術有助於其重要戰略支柱之一認知計算（Cognitive Computing）的研發以及物聯網和其他「數據密集型計算」任務的執行。當然，公司也為移動設備的未來繪製了一個美好的畫面：除了降低成本，提升性能等優勢之外，未來手機設備的續航也可增長 2 到 3 倍，而這一點也是目前眾多手機製造商所關注的一個方面。但目前 5 nm 晶元離商業化還尚有一段距離。

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