128層堆棧的1Tb NAND快閃記憶體快來了，QLC快閃記憶體明年問世

東芝、西數開發的64層堆棧512Gb核心容量的TLC快閃記憶體及硬碟已經開始出貨，此前三星、美光、Intel也各自發布了64層堆棧的3D NAND快閃記憶體，而SK Hynix的3D NAND快閃記憶體堆棧層數更多，去年底就推出了48層堆棧的，今年4月份更是首發了72層堆棧快閃記憶體，下一步則是96層堆棧，再往後則是128層堆棧，核心容量可提升至1Tb(238GB)。此外，TLC快閃記憶體現在已經成為市場的主流，明年開始QLC快閃記憶體也要正式進入商業化了，而MLC快閃記憶體恐怕要步SLC快閃記憶體的後路了。

與其他廠商的3D NAND快閃記憶體相比，SK Hynix的3D NAND快閃記憶體堆棧層數更多，去年其他廠商還在堆棧32層的時候，他們就做了48層堆棧的了，今年其他廠商是64層堆棧，SK Hynix搞的的是72層堆棧，不過層數雖多，SK Hynix的3D快閃記憶體核心容量並不算高，4月份發布的72層堆棧3D快閃記憶體核心容量才256Gbit，只是其他家32層堆棧的3D NAND快閃記憶體的水平，東芝、西數及三星的64層堆棧已經可以做到512Gbit核心容量。

SK Hynix後面不僅會提升堆棧層數，容量也同樣會提升。Tomshardware報道稱他們下一代產品是96層堆棧的，核心容量將提升到512Gbit。當然，這也不是終點，原文稱其他韓國SSD廠商（這是說三星？）將推出128層堆棧的3D NAND快閃記憶體，核心容量將提升到1Tbit。

這是什麼概念？目前主流的快閃記憶體核心容量才256Gbit，1Tbit容量密度是它的四倍，也就是128GB容量，而我們在SSD上常見的NAND晶元是由多個核心組成的，即便是4個核心，那麼一片「快閃記憶體」的容量也有512GB了，M.2這樣的SSD上正反面至少可以布置4篇快閃記憶體，那麼容量輕鬆達到2TB，如果內部搭配的核心更多，那麼4TB、8TB也很正常。

當然，128層堆棧的3D NAND快閃記憶體可能還要一兩年時間才能問世，今年主流是64層堆棧，明年會提升到96層，128層大概要等到2019年了。

除了堆棧層數之外，提升NAND容量、降低成本還有別的方式，這就是NAND一路走路的SLC、MLC、TLC以及未來的QLC快閃記憶體——SLC大家都知道它的好處，性能最強，可靠性最高，但是成本也是最貴的，MLC次之，可惜現在只在部分高端型號上才見到了，TLC快閃記憶體之前一直被人吐槽性能差、可靠性低，但是TLC快閃記憶體現在已經成為主流了，特別是在3D NAND時代。

下一步就是QLC快閃記憶體，也就是Quad bit per cell（4bit per cell），每個cell單元容納4位數據，比TLC的3位數據還多，好處是容量更大，但缺點也跟TLC一樣，都是犧牲了可靠性及寫入性能，因為QLC對信號的控制要求更嚴格，所需的校驗更多。

從這幾年的情況來看，Intel、美光、三星等公司早就在研究QLC快閃記憶體了，它從實驗室走入市場只是時間問題，這次的台北電腦展上給出了更具體的信息，明年的電腦展上就能見到QLC快閃記憶體了。不只是TH這麼報道，我們的記者團在跟廠商交流時也得到了類似的信息，那就是QLC快閃記憶體在明年下半年就會嶄露頭角。

從TLC最初的遭遇來看，QLC初期肯定也會面臨性能、可靠性等方面的質疑，不過成本更低、容量更大的要求使得QLC沒有後退的可能，這條路沒法逆轉了。更加「悲劇」的則是以前大家覺得是次品的MLC快閃記憶體也會越來越稀罕，一旦QLC成熟了，MLC快閃記憶體狗帶的命運也是不可避免的。

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