傳聯發科將採用FD-SOI工藝生產手機晶元

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近期聯發科傳出在上攻10納米FinFET製程技術失利之後，內部開始評估採用在大陸市場極為火熱的FD-SOI製程，聯發科為甩開在中、低階手機晶元市場與展訊激烈纏鬥，考慮投單GlobalFoundries最新一代22納米FD-SOI製程，該計劃將待6月新上任的共同執行長蔡力行拍板定案。

聯發科在中、高階市場被高通(Qualcomm)堵住，在中、低階市場又遇到緊迫盯人的展訊，面臨前後遭夾擊的命運，雖然聯發科與台積電合作10納米製程，欲突圍高階市場，但因設計規格追不上高通，且量產時程一再推遲，使得聯發科搶攻高階10納米之役不算成功。

反觀展訊與英特爾(Intel)合作越來越緊密，在連開兩顆14納米高階晶元之後，可能往中、低階市場擴大合作。近期聯發科傳出考慮換戰線，藉以甩開與展訊的纏鬥，聯發科看好在大陸極為火紅的FD-SOI製程，成為主流FinFET技術外的另一股崛起勢力。

目前FD-SOI製程的擁護者包括GlobalFoundries、三星電子(Samsung Electronics)，以及大陸晶圓代工廠華力微等，都有評估投入的跡象，其中，GlobalFoundries宣傳最賣力，連續擘劃22納米和12納米兩世代的FD-SOI技術。

供應鏈業者指出，聯發科內部評估在GlobalFoundries開一顆22納米FD-SOI製程晶元，主打中、低階手機晶元市場，這將是28納米平面式電晶體(Planar CMOS)和16/14納米FinFET兩大技術以外的另一個新戰場，並避開Planar CMOS功耗高、FinFET成本高的缺點，利用FD-SOI製程的低功耗、低漏電、低成本優勢，開創中、低階手機晶元領域新局。

聯發科該計劃就等蔡力行拍板定案，蔡力行將提前在7月上任聯發科共同執行長，由於聯發科和台積電近期因為採用10納米製程的X30晶元出貨延遲，讓聯發科公開抱怨10納米良率太低，蔡力行上任之後，聯發科的晶圓代工策略是市場關注焦點之一。

在中、高階手機晶元，聯發科也考慮到台積電新推出的12納米投單，未來在技術劃分上，12/14/16納米FinFET主打中、高階晶元，22/28納米主打中、低階晶元，其中22納米將是FinFET、Planar和FD-SOI三大技術分水嶺，英特爾22納米是FinFET製程，台積電22納米是28納米Planar微縮，而GlobalFoundries的22納米是FD-SOI製程。

事實上，FD-SOI製程曾被台積電、英特爾等大廠內部評估過，最後還是選主流的FinFET技術，依循摩爾定律微縮下去，但FD-SOI勢力這兩年在大陸捲土重來，主要是具備低功耗優勢，在物聯網(IoT)、車用電子上極為適合，GlobalFoundries更宣布在成都興建新的FD-SOI專屬12吋晶圓廠。

三星也推出28納米FD-SOI製程，拿下恩智浦SoC晶元代工訂單，預計2019年推出下一代18納米FD-SOI技術，與GlobalFoundries一同炒熱大陸FD-SOI市場，未來若聯發科正式採用，將使得FD-SOI技術不僅用在物聯網、車聯網等領域，在手機晶元領域亦將另闢蹊徑。

假設聯發科真這樣干，辜勿論採用FD-SOI工藝的新晶元性能，FD-SOI矽片帶來的成本壓力，也夠他喝一壺。早前編者曾經看過報道，一個傳統的矽片售價80美金，而一個FD-SOI矽片要賣到500美金（如果說錯了，請糾正）。這麼巨大的成本變化，對於價格極其敏感的中低端處理器來說，是不能接受的。所以這個招數會不會是聯發科病急亂投醫了？

今天是《半導體行業觀察》為您分享的第1302期內容，歡迎關注。

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