黑科技還是放衛星？東芝QLC快閃記憶體耐久度比肩TLC

前不久東芝剛剛拿出了首個使用第三代BiCS 3D快閃記憶體的XG5固態硬碟，持續讀取3GB/s，持續寫入2.1GB/s，用TLC實現了MLC級別的旗艦性能，令人印象深刻。

既然3D TLC已經達到過去2D MLC的水平，3D QLC快閃記憶體自然也就提上日程，它將擁有當前2D TLC快閃記憶體的耐久度水平：1000次擦寫循環！

MLC快閃記憶體每個存儲單元存儲2個比特數據，需要4種電位狀態來表述；TLC快閃記憶體每個存儲單元存儲3個比特數據，需要8種電位狀態來表述；QLC快閃記憶體每個存儲單元存儲4個比特數據，需要16種電位狀態來表述。顯然，QLC快閃記憶體存儲密度更大的同時，更容易出錯，需要更強大的LDPC糾錯技術。

東芝並未具體說明3D QLC快閃記憶體的具體糾錯需求，但可以肯定的是會比當前TLC快閃記憶體所需的120bit/1K更高。其實這已經不是QLC快閃記憶體首次亮相了，早在2009年東芝就聯合閃迪宣布了QLC快閃記憶體，當時使用43nm製程製造的QLC快閃記憶體單Die容量64Gb，主要使用目標是快閃記憶體卡和優盤，擦寫壽命在100~150次左右。

而東芝現在拿出的3D QLC使用64層3D堆疊技術，單Die容量提升至768Gb，是2009年QLC首次提出時的12倍，擦寫壽命1000次，是過去10倍左右，應用範圍將不再局限於存儲卡，將有機會用在手機、固態硬碟當中。

東芝3D QLC快閃記憶體已經出樣給固態硬碟主控廠商做開發之用，預計明年晚些時候將隨著主控固件的成熟，同時進入大規模量產期，大量產品上市則有望出現在2019年初。

東芝最近爆出的大料還有96層堆疊的第四代BiCS快閃記憶體，預計2018年推出，這走在了三星與SK Hynix的前面，韓國媒體BusinessKorea質疑東芝是在放衛星：它不可能有這麼多資金用於研發如此先進的技術。韓媒同時還替三星打氣，稱三星早已研發出96層堆疊3D快閃記憶體，只是沒有宣布而已。其實吹牛不上稅，世界都是韓國的思密達。

東芝因在美核電業務巨虧而陷於資不抵債的邊緣，但畢竟快閃記憶體是東芝最有競爭力的業務，不管是放衛星還是真正黑科技，壓力在迫使東芝現在拿出殺手鐧來。不管是誰最先發布96層堆疊3D快閃記憶體，不管3D QLC能否如預期那樣達到等同甚至高於2D TLC的耐用水平，只要有利於消費者，就是好消息。

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