再攀新高 IBM公布有史以來存儲密度最高的磁帶產品

憑藉著由索尼方面提供的磁帶介質技術，IBM公司正式公布創下存儲密度紀錄的第五代磁帶產品，原始存儲容量高達330TB。

早在2015年4月，IBM與富士通公司亦利用Nanocubic技術配合鋇鐵氧化物磁帶介質開發出一款220 TB磁帶，其存儲容量高達每平方英寸1230億bit。

IBM公司創下的各項磁帶存儲密度紀錄

這一次，IBM公司磁帶驅動器研究人員繼續與索尼存儲介質解決方案及其薄膜介質團隊開展合作。此次開發出的成果得以將存儲密度進一步提升至每平方英寸201 Gb。

其技術包括：

? 面向數據通道且基於雜訊預測檢測原理的新型信號處理演算法，可採用超窄48納米隧道磁阻（簡稱TMR）讀取器實現每英寸81萬8千bit線性密度條件下的可靠運行效果。

? 一整套組合式先進舵機控制技術，能夠將準度控制在7納米甚至更高精度水平。

? 採用48納米寬TMR磁碟驅動器讀取磁頭，由此實現的每英寸磁軌密度高達24萬6200條，較TS1155磁帶驅動器增加了13倍。

? 新型低摩擦磁帶磁頭技術，可採用極為光滑的膠帶介質。

磁帶中的薄膜材料通常利用非反應性氬離子能量粒子轟擊靶材料，導致原子與靶源分離並沉積在基底之上。整個過程在真空容器內進行，而目標源噴射出的原子需要附著在基底等之上以重新實現熱力學平衡。

IBM-索尼薄膜磁帶介質

具體來講，本次發布的磁帶方案利用同樣的噴射沉積機制在IBM的磁帶基底之上建立起納米級磁性層。

IBM公司研究員Evangelos Eleftheriou在一份聲明中解釋稱，"與目前使用鋇鐵氧化物（BaFe）的商用磁帶相比，我們利用噴射工藝製造的薄膜膠帶預計需要更高成本，但其擁有極高的容量潛力，意味著將帶來更為低廉的每TB使用成本，非常適合用於雲環境中的冷門數據存儲場景。"

藍色巨人認為，這款產品的出現使得磁帶技術路線圖的可行性將再延續十年。因此在未來八到九年內，LTO Ultrium容量路線圖基本可以認定將邁向LTO-12，而容量則將超過190 TB。由此來看，磁帶的生命力仍然相當旺盛。

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