三個強大性能讓殲20秒殺F22

殲20雷達工藝遠遠優於F22的AN/APG77雷達，而且在功率是超過其五倍（F22雷達功率在二十千瓦以上）十萬瓦＝100千瓦。性能更優秀的相控陣雷達直接賦予了殲20空戰性能的提高。僅此而已嗎？不！接下來，小編跟大家詳述究竟是哪三個強大的性能讓殲20能夠秒殺F22的：

一、高性能紅外觀瞄

殲31或配兩尖端設備100公里外發現F22，數據鏈2機鎖定F22位置，配合PL15全程靜默消滅大量F22。

EOTS-89系統與洛克希德-馬丁公司F-35戰鬥機上的電子光學標準系統(EOTS)類似，後者結合了前視紅外成像和紅外搜索與跟蹤(IRST)能力。這種相似性包括了兩塊循跡反光鏡和一個扁平多面光學窗口的使用，它們位於機身底部天線屏蔽器之後。

在殲-31座艙的前方右舷側安裝的是用作IRST系統的中陸航星EORD-31系統，不過，EORD-31系統的外罩並未採用球形，而是採用了扁平多面形。

同時展示的還有中陸航星AUEODS系統的圖片，該系統採用了結合常規瞄準吊艙和位於頂部或底部的半球形IRST系統的TX-S55和TX-S56吊艙。

中國媒體的報道聲稱，該系統可以探測到最遠200公里外的目標，對F-22A和B-2隱形機的探測距離分別為70公里和120公里。報道還聲稱該系統可以發現18公里以外的「戰斧」式巡航導彈。

中陸航星的產品陣容還包括德國ExtraEA-400渦輪螺旋槳動力小型飛機。該公司是在2013年獲得這款飛機的合作生產權的。

儘管報道中有關對付美國現有的隱形飛機方面的成就無法得到證實，但中陸航星的新型電子光學系統表明，中國在下一代戰鬥機所需高級作戰系統的自給自足方面的能力正在日益增強。

二、pl15

與眾不同的空戰神器PL-15的最大射程確實超400km。

目前國內某203mm彈徑，4m長，重200kg（其中發動機140kg,其他部分60kg）的空空導彈。

採用了全球最領先的變推力（可調推力）固體燃料發動機。這種發動機，領先於單室雙推力和雙脈衝發動機（美國AIM120改進型）不少。導致最大射程能超400km。

最大的不可思議的地方在，實際上最大射程下的速度其實大多數時候也不差，最大速度差不多能達到1800m/s。6馬赫以上（那個高度音速不到300m/s），太強大了。一般空空導彈的速度大多是3~4馬赫，紅外彈2馬赫也不奇怪。

中國空軍的目標，居然是在320km外向F22發起超視距打擊...要在40km+（飛行135km，接近450km距離上），擊落或驅趕目標。但核心是，空軍沒有武器能在指定空域提前攔截對手這些論據，都是基於空軍沒有有效的手段，可以在數百km外發起對F22的提前攔截。

三、側視雷達

總結一切資料，殲20和F22在裸機狀態，不敷塗任何隱身材料，正面RCS值在一個水平，F22號稱能達到0.01，實際上只是在一個很小的角度內的雷達反射面積數據，在正面RCS（上下左右±30度範圍內）J20的RCS和F22是基本相同的，發動機噴管的紅外、雷達隱身其實並不只有像F22那樣才能做到先來紅外隱身，可以看見F22開加力起飛時候紅外輻射還是很客觀的殲20則小的多這樣會更清楚，噴口的冷卻效果十分明顯，根本看不見尾焰，後方的空氣並沒有像F22那樣被加熱、汽化。

彈艙數據對比

殲20較大的細長比給予了殲20更大的機體空間，F22發動機深埋進機身，彈艙後緊跟著就是發動機艙，空間倉促緊湊。殲20得益於長長的機身，彈艙長度、深度均大於F22，J20可以內置遠距空空導彈，類似於1000磅級JDMA的對地攻擊彈藥，而F22隻能內置AIM120，還不能並排布置，只能內置SDB小直徑攻擊彈藥，對地攻擊能力有限，拓展能力差。

由於殲20機身傾斜，造成對比圖殲20的彈艙顯得比F22窄。兩記均採用鋸齒狀艙門提高雷達隱身能力，但是J20的艙門邊緣鋸齒更細膩，對於雷達波的反射效果更明顯，隱身效果更好進入21世紀，玻璃化座艙早已取代舊式儀錶，這是F22的座艙殲20（這只是航展上展出的模型，服役之時應該會更先進）這是殲20的後發優勢，航電飛速發展的今天，F22很能說在今天依然能夠領先。航電就像手機的操作界面，注重用戶體驗才是王道。殲20的兩塊大顯示器取代了傳統的小顯示器，既可以當做一塊顯示器，也可以劃分成若干個小界面分別顯示不同的信息，大大減輕飛行員的壓力。殲20還裝備了EODAS系統，應該還會和F35一樣裝備HMD頭盔顯示系統，服役時的殲20航電將會非常科幻，不亞於F35甚至略有超出，已經將F22遠遠得甩在了後面。

關於雷達

主要特徵：高速性；高密度性；高散熱性；低成本性。

三基本的原型結構模型：（三維多晶元組件）

埋置型3D封裝結構製作靈活，而且還可以作為IC晶元後布線互連，使埋置IC的壓焊點與多層布線互連起來，可極大減少焊接點，從而提高電子部件封裝的可靠性。埋置型3D現在存在的主要問題有二，第一是埋置無源元件的精度問題，第二是埋置有源元件的成品率問題。

有源基板型3D封裝可以利用一般半導體的工藝方法，可實現大規模工業化生產，並隨著半導體工藝技術的發展而不斷提高。這種封裝結構，可望達到應力完全匹配，從而使電子產品有更高的可靠性。但其關鍵是要解決有源Si基板的成品率問題。

疊層型3D不但應用了許多成熟的組裝互連技術，還發展應用了垂直互連技術，與埋置型和有源基板型3D封裝相比，成本更低，能更好地滿足目前迅速發展的手機等消費類電子產品周期短、體積小的要求，是目前得到廣泛研究和應用的一種三維封裝技術。疊層型3D封裝，是將LSI、VLSI、2D-MCM、已封裝的器件、甚至圓片級集成(wafer-scaleintegration)，層層疊裝互連而成。疊層型3D概括起來，大致可分為三種:裸晶元的堆疊，封裝體的堆疊，MCM的堆疊。

3DMCM的關鍵技術,除了2DMCM中所含者以外,最主要的就是IC晶元的垂直互連技術。該技術包括多種類型,主要有:薄膜垂直互連技術、絲焊垂直互連技術、凸點垂直互連技術、隔離板通孔金屬化垂直互連技術等。

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