研究人員研發磁性開關 讓存儲設備容量翻倍

日本研究人員已經開發出可以在磁性和非磁性狀態之間來回切換快速的儲存材料和裝置，這樣一來，他們已經有可能將固態驅動器和USB快閃記憶體驅動器的存儲容量翻 倍。在磁存儲當中，一個磁性膜在各區域的磁化方向代表數據，而以二進位形式的電子存儲裝置當中數據存儲在數百萬個微型邏輯門內。

北海道大學的研究人員認為，如果存儲材料可以在磁性和非磁性狀態之間來回迅速切換，將有可能為現有0/1形式存儲的數據添加A / B磁存儲形式。在本質上，這可能會將存儲容量翻倍。

他們研發了過渡金屬氧化物來作為存儲材料，因為它們獲得或失去氧化物離子的時候，可以在非磁性不導電狀態和高導電性金屬磁體狀態之間切換。

不幸的是，獲得或失去氧化物離子需要高溫加熱，不適合室溫操作，或者採用液體鹼性電解質，它容易泄漏，因此，研究人員開發了自己的替代方法，他們使用鉭鈉薄膜鋪設在鍶氧化鈷表面，施加三伏特的電流，大約兩到三秒鐘時間之後，讓它從絕緣狀態切換到金屬磁體狀態，施加反向電流，可以切換回絕緣狀態。

通過將裝置小型化，可以降低切換耗時，用於商業應用。研究人員認為，他們的方法可以開發新型電磁開關設備，如高容量快閃記憶體開發以及新光電和電熱設備。

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