三星宣布批量生產64層 V-NAND 快閃記憶體晶元

三星電子今天宣布，已經開始批量生產64層256Gb V-NAND快閃記憶體晶元，傳輸速度 1Gb，全球最快。該快閃記憶體晶元將用於伺服器，PC和移動設備。感覺UFS3.0已在路上。

與之前的48位256Gb V-NAND相比，新的64層256Gb V-NAND提供了超過30％的生產率增益。此外，64層V-NAND的電路具有2.5V輸入電壓，與使用48層V-NAND的3.3V相比，能量效率提高了約30％。此外，新的V-NAND電池的可靠性與其前身相比增加了約20％

三星在今年一月份開始為主要IT客戶生產基於64層256Gb V-NAND晶元的業界首款SSD，64層V-NAND晶元也被認為是第四代V-NAND晶元，數據傳輸速度達1Gbps，具有業界最短的500微秒（?）的燒錄器燒錄單個晶元的時間（tPROG），比典型的10納米（nm）級的平面NAND快閃記憶體快約四倍，比三星最快的48層3位256Gb V-NAND快閃記憶體的速度快了約1.5倍。

三星還表示，基於其64層V-NAND的成功，三星未來還將通過堆疊超過90層的單元陣列，以生產具有1Tb以上容量的V-NAND晶元。

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