三星量產64層V-NAND內存 海量高速儲存不是夢

三星宣布已經開始批量生產64層256Gb V-NAND快閃記憶體，並會將之應用於伺服器、PC以及移動設備。三星一直在UFS快閃記憶體、SSD硬碟和儲存卡方面下了很大的功夫，而基於64層256Gb V-NAND晶元也將在今年晚些時候推出。

為了鞏固其在內存市場的競爭優勢，三星計劃大量生產64層V-NAND晶元，也就是俗稱的第四代V-NAND，其產量在年底將達到全部NAND快閃記憶體的50%。64層V-NAND晶元的最大優勢在於能夠達到1Gbps（千兆位/秒）的數據傳輸速度，這是目前可用的NAND快閃記憶體中最快的，其頁面編程時間也比典型的10納米級的平面NAND快閃記憶體快約四倍。

與之前的48位256Gb V-NAND相比，新的64層256Gb V-NAND提供了超過30％的生產率增益。此外，64層V-NAND的電路具有2.5V輸入電壓，與使用48層V-NAND的3.3伏相比，能量效率提高了約30％，電池的可靠性也增加了約20％。

容量更大、更快速、更穩定是內存發展的不變趨勢，三星作為行業的先驅者，其努力不容忽視，未來的海量高速儲存正在向我們招手嘍。

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