三星64層NAND FLASH量產，國產企業要加速！

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三星電子15 日宣布，最新64 層256GB V-NAND 快閃記憶體已進入量產，與此同時，三星還將擴展包含伺服器、PC 與行動裝置的儲存解決方案。

64 層V-NAND 快閃記憶體用稱為第四代V-NAND 晶片，南韓ITtimes.com 報導指出，三星為穩固領先優勢，打算於年底把第四代晶片占每月生產比重拉高至五成以上。

其實，三星今年1 月已先為某關鍵客戶，打造第一顆內含64 層V-NAND 晶片的固態硬碟（SSD），自此之後，三星持續朝行動與消費型儲存市場開發新應用，務求與IT 產業同步化。

三星64 層V-NAND 快閃記憶體傳輸速度達每秒1Gb，市面上同類型記憶體產品中無人能出其右。若與48 層產品相比，64 層快閃記憶體的省電效能約高出三成，可靠性則增加約兩城。

三星目前是NAND 龍頭，2016 年市佔率為36%，在第四代NAND 晶片量產後，三星可能陸續調降第二、三代晶片價格，除可進一步擴大市佔外，還將對美光、東芝、Western Digital 等同業造成降價壓力。

三星全球最大半導體工廠助攻擴大產能

作為全球最大的NAND晶元供應商，三星自己一家就佔據全球37%的份額，是第二名東芝的兩倍，產能、技術都要領先於其他幾家公司。現在其他公司趕超三星快閃記憶體的可能性更小了，因為三星兩年前斥資144億美元建設的平澤工廠基本完工了，三星稱其為世界最大的半導體工廠，預計7月份正式投產，主要生產64層堆棧的新一代3D NAND快閃記憶體。

2015年三星宣布了15.6萬億韓元（約合144億美元）的半導體投資計劃，將在韓國平澤市建設全球最大的NAND晶圓廠，預計在2017年上半年完工。平澤工廠將在三星的NAND業務中扮演關鍵角色，未來將與三星在京畿道器興市的系統半導體工廠、華城市的DRAM內存工廠形成鐵三角。

平澤工廠預計會在7月份正式投產，雖然號稱是全球最大的半導體工廠，不過產能提升也是有個過程的，今年內產能可能只有7-8萬片晶圓/月，一兩年之後才能全速運轉。三星平面及3D快閃記憶體工廠加起來每月產能大約是45萬片晶圓，平澤工廠將佔據10-20%的份額。

既然是費盡心血建設的新一代工廠，平澤工廠生產的產品自然也會是最新的3D NAND快閃記憶體，三星之前已經發布了堆棧層數分別是24、32、48層的三代3D NAND，平澤工廠下半年預計會生產堆棧層數達到64層的第四代3D NAND快閃記憶體。

根據三星之前公布的資料，64層堆棧的3D NAND核心容量提高到512Gb，IO介面速度800Mbps。

在平澤工廠之前，三星在中國西安投資70億美元建設了NAND工廠，主力產品就是目前的48層堆棧3D NAND，未來西安工廠也會投產64層3D NAND快閃記憶體。

三星平澤工廠在未來兩三年內可能還是最大的半導體工廠，不過這個最大工廠的名頭很有可能被中國的長江存儲科技取代——該公司在武漢、南京建設的晶圓廠規模更大，2020年時每個晶圓廠月產能可達30萬片晶圓（還是12英寸的），真要投產了這兩個工廠的產能就足以比肩三星全部NAND工廠產能，而武漢基地規劃的產能最終是在2030年達到每月100萬片晶圓。

在三星高歌猛進的時候，突然想起國內的長江存儲。在幾個月前，他們方面宣布將會在今年年底把32層3D nand flash送樣，雖然說整體來說。但對比三星來看，中國半導體的道路還非常遙遠。

今天是《半導體行業觀察》為您分享的第1309期內容，歡迎關注。

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