第三代半導體戰略發布，晶元封裝將與國際接軌

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到2030年，第三代半導體產業力爭全產業鏈進入世界先進行列，部分核心關鍵技術國際引領，核心環節有1至3家世界龍頭企業，國產化率超過70%。第三代半導體發展戰略發布會25日在京舉行。第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲如是描述我國第三代半導體的「中國夢」。

第三代半導體是以氮化鎵和碳化硅為代表的寬禁帶半導體材料。吳玲表示，我國第三代半導體創新發展的時機已經成熟，處於重要窗口期。但目前仍面臨多重困境：創新鏈不通，缺乏有能力落實全鏈條設計、一體化實施的牽頭主體;缺乏體制機制創新的、開放的公共研發、服務及產業化中試平台;核心材料、器件原始創新能力薄弱。專家建議，要依託聯盟建設小核心、大網路、主平台、一體化的第三代半導體產業創新體系。

以通信產業為例，鄭有炓認為，氮化鎵技術正助力5G移動通信在全球加速奔跑。「5G移動通信將從人與人通信拓展到萬物互聯。預計2025年全球將產生1000億的連接。」鄭有炓說，5G技術不僅需要超帶寬，更需要高速接入，低接入時延，低功耗和高可靠性以支持海量設備的互聯。氮化鎵毫米波器件可以提供更高的功率密度、更高效率和更低功耗。

中國半導體封測行業與國際先進水平開始接軌，迎來黃金髮展期。

市場和技術的發展推動三個主要OSAT產業模式的變化：

1.SiP崛起：系統級封裝是移動通信、物聯網時代對於集成電路的整體需求，從產業鏈角度上講更加適合OSAT去做，是OSAT行業重要的發展機會。

2.Fan-out崛起：Fan-out 是最重要的第三代先進封裝技術，面臨晶圓廠的擠壓，OSAT必須要在技術和靈活度上提供更多。

3.中國半導體產業快速發展提升本土先進封裝需求。

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