東芝與西部數據公司協力打造出96層3D NAND快閃記憶體晶元

正當我們逐漸熟悉64層3D NAND晶元之時，東芝與西部數據建立的合資企業又將相關技術提升至新的高度。雙方指出，其合資公司已經生產出96層原型設計方案，而東芝亦推出了四層單元快閃記憶體技術。

相較於64層晶元，96層3D NAND晶元擁有高達50%的層數提升，因此從理論上講其存儲容量亦將提升達50%。然而實際情況似乎並非如此。東芝公司解釋稱，其採用BiCS4技術的最新晶元即使繼續採用原有64層堆疊製程，每單位晶元尺寸的容量仍可直接增加約40%。

其原型設計96層三層單元（簡稱TLC）晶片擁有256 Gbit容量——相當於其所發售之64層晶片的一半。

而96層BiCS快閃記憶體將由東芝以及西部數據於四日市建立的Fab 5、全新Fab 2以及Fab 6（將於2018年夏季正式建成）代工廠負責製造。

東芝公司將未來還將利用96層技術構建512 Gbit晶元，同時推出一款四層單元（簡稱QLC）產品; 另外，西部數據則在討論未來推出1 Tbit晶元的可能性。

西部數據公司存儲器技術執行副總裁Siva Sivaram博士解釋稱：「BiCS4將適用於三層單元與四層單元架構……西部數據公司的3D NAND產品組合在設計上旨在面向消費者、移動、計算以及數據中心等各類終端市場。」

東芝公司已經公布了全球第一款QLC晶片，其存儲容量為768 Gbit，且繼續採用現有64層3D技術。該公司指出，這款QLC快閃記憶體存儲器能夠在單一封裝之內配合16晶片堆疊架構提供1.5 TB存儲容量; 這亦是目前業界內存儲容量最高的固態存儲設備。

東芝與西部數據雙方表示，其96層產品的樣品計劃於2017的下半年開始交付，而批量生產則計劃在2018年年內實現。其適用之場景包括企業與消費級SSD、智能手機、平板設備以及存儲卡等。

兩家公司認為，來自其合資企業的64層3D NAND總體產能將在2017年年內高於業務內的任何其它供應商。

東芝公司的QLC設備樣品將於本月面向各SSD與SSD控制器供應商進行交付，旨在供其進行評估與相關開發。另外，這些樣品還將亮相Flash Memory 2017峰會——此峰會將於今年8月7號到10號於加利福尼亞州聖克拉拉市召開。

不過除了技術領域的通力合作之外，東芝與西部數據之間還存在一些矛盾。今天東芝公司於東京起訴西部數據並要求其賠付1200億日元（摺合10億美元，8.3億英鎊），指責後者因「干涉」東芝公司存儲器業務相關投標程序而涉嫌不正當競爭。

評論意見

QLC快閃記憶體將存在使用壽命較低的問題——其實際使用周期可能僅為數百次全盤寫入，甚至更低。這意味著此類產品僅適用於企業歸檔用例這類讀取量遠大於寫入量的場景。具體來講，用戶可能擁有包括照片、圖像、視頻或者播客在內的大量文件需要快速訪問; 這類似於Facebook用戶查看其個人相冊。儘管與傳統磁帶庫所提供的離線磁帶歸檔相比，使用快閃記憶體存儲在成本方面明顯更高，但相應訪問速度也將得到極大改善。事實上，快閃記憶體訪問速度甚至高於普通磁碟，而基於快閃記憶體的歸檔方案也應該能夠帶來遠低於磁碟歸檔的功耗水平與物理空間要求——這一切都能從另一個角度實現成本節約。

與磁碟與磁帶歸檔方案相比，可靠性、價格以及性能表現將成為最終決定QLC快閃記憶體驅動器歸檔命運的關鍵性指標。

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