用GaN重新考慮功率密度
作者：Masoud Beheshti
電力電子世界在1959年取得突破，當時Dawon Kahng和Martin Atalla在貝爾實驗室發明了金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。首款商業MOSFET在五年後發布生產，從那時起，幾代MOSFET晶體管使電源設計人員實現了雙極性早期產品不可能實現的性能和密度級別。
公司信息:
TI-德州儀器
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