三星、SK 海力士半導體投資歷史高！外資：DRAM 不致過剩

看好 DRAM、NAND 型快閃記憶體的發展，三星電子（Samsung Electronics Co.）、SK 海力士（SK hynix Inc.）傳出今年的投資額，將刷新歷史新高紀錄。

韓聯社 2 日報導，消息顯示，三星、SK 海力士今年的投資額將高達 30 萬億韓元（相當於 267 億美元）。其中，三星已在上半年對設備投資了 12.5 萬億韓元，直逼去年一整年的投資額度 13.1 萬億韓元；專家估計，三星今年的投資總額或許會攀升至 20 萬億韓元，而 V-NAND 型快閃記憶體、影像感測器和晶圓代工業務將是投資重點。

SK 海力士也決定在今年對設備投資 9.6 萬億韓元，希望能擴充 DRAM 和 NAND 型快閃記憶體產能，比稍早預定的 7 萬億韓元還要高出一些。SK 海力士一名主管說，這些投資旨在滿足市場對 DRAM、NAND 型快閃記憶體日益增多的需求，另外也是為長遠的未來做打算。

不少人擔憂，三星、SK 海力士投資大增，恐怕會讓產能過剩，最終導致供給過多、報價下滑。美國存儲器大廠美光（Micron Technology）最近就因為市場憂心供需失衡，股價連番下挫，自 7 月 24 日起跌迄今，股價已重挫逾 11%。

不過，barron`s.com 1 日引述 TheFlyontheWall 報導，美系外資分析師 Christopher Danely 發布研究報告指出，美光股價近來雖因市場擔憂存儲器產能過多而下滑，但今年增加的 DRAM 資本支出（從 89 億美元上升至 99 億美元）其實並不多，不致於會導致產業景氣降溫。

（本文由 MoneyDJ新聞授權轉載；首圖來源：Flickr/Dick Thomas Johnson CCBY 2.0）

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