西方竟對中國此技術實行封鎖？中國已被激怒發展迅猛

光明萬丈，前程似錦——淺談我國光刻機發展及展望 時雨

CPU晶元是電腦的心臟，也是各種電子產品的要點，而晶元製造是我國之後佔領高科技制高點的要點，目前，中國的晶元主要靠進口，每年進口的晶元量和價值不菲，可以說未來戰爭打的就是硅戰爭，如果國外一旦切斷對中國輸出晶元，那中國的高科技產品面臨著無以為繼的境地。

時雨指出，正因為如此，近幾年來，國家加大了對晶元產業的投入，預計今後十年將投入上千億投資，而晶元製造則是其中的重中之重。在此，時雨認為有必要介紹下晶元的製造，晶元的製造主要分為以下幾部分：

其一，晶元設計，作為一個半導體元件，在製造之前，首先要設計CPU的線路圖，當然設計如此複雜的線路圖，不會光靠人力勞動，很多電路可以用輔助設計軟體來設計。設計初樣之後可以用軟體實現模擬模擬和調試，如果有問題，就需要重新設計，完成之後再進行樣片的出此流片，即通過光刻機生產出初樣，然後拿回來再進行測試，找出問題，然後出設計二稿，再調試，再流片，如此多次循環往複，最終搞出定型CPU。

其二，是流片。流片分兩部分，其一是前道光刻。這裡有必要談到晶圓這個概念，顧名思義，晶圓就是一個晶體管組成的圓片，它的基板是一塊圓形矽片，然後基於基板多次覆蓋各種金屬材料，最後一層覆蓋材料是鍍銅，即把銅覆蓋在最後一層上。未加工的晶圓經過前道光刻後實現晶體管線路的光刻。

時雨指出，光刻是在此要提到的第二個知識點，所謂光刻，就是通過激光在晶圓表面刻蝕出晶體管的線路，而激光的刻蝕是靠設計出來的線路圖進行刻蝕的，通俗來說，光刻有點類似照相上的曝光，但它是通過激光來進行曝光的。

流片的第二部分是，晶圓的切割和封裝測試，所謂晶圓的切割，就是把晶圓切割成一小塊，一小塊的晶元，然後通過測試，來鑒別每塊晶元的體質，然後把不同體質的晶元弄成不同檔次的晶元進行封裝，加蓋，弄好接觸的引腳，此時這枚晶元就是平時我們電腦常用的晶元了。現在封裝技術不光有平面封裝，還有3D立體封裝，中國的江陰長電就是封測領域的領先者。

專家指出，由上可知，前道光刻機是晶元製造的重中之重，而光刻機的好壞，直接決定著晶元的產量和性能。目前國際市場的光刻機製造商主要有這三家，荷蘭的ASML和日本的尼康和佳能，這三家是光刻機領域的佼佼者，而目前最先進的極紫外EUV光刻機只有荷蘭ASML能生產，該光刻機的波長在50-150納米，而目前主流光刻機是深紫外波長為193納米的氟化氬激光的浸沒式光刻機，該光刻機和常規步進式光刻機的區別是光刻機鏡頭通過液體的浸沒和特殊液體的折射，實現光刻的更大解析度，目前中國在EUV光刻機領域實現了突破，也在光刻機雙工件機架台上實現了突破，但離實用還有段時間，以上項目主要由中科院微電子所和上海微電子設備有限公司承擔。

需要指出的是，浸沒式光刻機的單機價格在5000萬美金以上，而EUV的價格將超過一億美金，接近兩億，目前，中國流片廠的光刻機主要是靠進口，包括最先進的EUV光刻機和浸沒式光刻機，在光刻機上中國受制於人已經太久了。巴黎統籌委員會和瓦森納協議也對中國進口光刻機有限制，中國在國際市場上得到的光刻機往往落後於其他先進國家半代到一代。

時雨指出，雖然中國在光刻機進口上受到種種限制，但壓抑太久遲早要爆發，歐美對中國的限制遲早成為中國發展國產光刻機的磨刀石，特別是中國這樣的大國，最近傳來了新的好消息，中科院光電所 採用波長更為長的650納米氦氖激光SP光刻機上實現了單次曝光光刻出22納米的晶元，目前該光刻機還是首台樣機，如果採用多次曝光技術的話，據信可獲得10納米以下的晶元，這確實是中國光刻機領域的一大突破，也闖出了一匹黑馬。

專家指出，進入十四.五計劃後，中國的發展不可阻擋，隨著國家對晶元領域大幅度投資和持續投入，相信中國的光刻機發展也將最終突破桎梏，其發展也將光明萬丈，前程似錦！（利刃時雨）