海力士發布72層256Gb 3D快閃記憶體晶元 適合未來 iPhone
蘋果供應商海力士（SK Hynix）今天發布了 72層，256Gb 3D NAND 快閃記憶體晶元。這種晶元比 48 層技術多1.5倍，單個 256Gb NAND 快閃記憶體晶元可以提供 32GB 快閃記憶體，這種晶元比 48 層 3D NAND 晶元的內部運行速度快兩倍，讀寫性能快 20%。
海力士自從2016年11月開始生產 48 層 256Gb 3D NAND 晶元。之前的 36 層 128Gb 3D NAND 晶元在2016年4月開始生產。因為層數更多，利用現有的生產線，產能可以提升 30%。海力士將在今年下半年開始量產。
iPhone 7 和 iPhone 7 Plus 配備的 NAND 快閃記憶體供應商來自東芝和海力士。一些 iPhone 7 採用東芝 48 層 3D BiCS NAND 晶元，這種晶元之前從未出現在其他商業產品中。其他 iPhone 7 型號採用海力士快閃記憶體晶元。
32GB iPhone 7 比 128 GB 型號更慢，前者的數據讀取速度為 656 Mbps，後者為 856Mbps。東芝和海力士的內存晶元採用 15納米工藝打造。
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