「沒有理想和情懷，就做不了科研」

多年沒有像樣的科研成果，好幾次差點放棄學術研究，借著鍺錫材料出現的東風，他迎來科研的轉折點，在國際上首次製備出高性能鍺錫CMOS（互補金屬氧化物半導體）器件，實現了多個世界「首次」和最高紀錄。他就是國家優秀青年科學基金獲得者、西安電子科技大學微電子學院教授韓根全。

「沒有理想和情懷，就做不了科研。」走過科研的低谷，韓根全說自己靠的就是「理想」和「情懷」兩樣法寶。

「站得不高、看得不遠，再勤奮也沒用」

韓根全本科就讀於清華大學材料科學與工程系，在旁聽了一堂半導體物理課後，他對半導體器件方向產生濃厚興趣，並進入中科院半導體所讀直博。其間，他卻沒做出什麼像樣的成果，僅僅調試了5年材料外延生長設備。設備一次次出問題，他一次次跟維修師傅熬通宵查找癥結，最終「長」出了一片又一片矽片鍺片，給師弟們留下了一台性能優異的材料生長設備。

但這些實實在在、浩繁複雜的工作並不能體現到論文上，臨近畢業，韓根全感到這5年的時光虛度了。然而，世上沒有白費的努力，韓根全日後才深深體會到這點。

本科到博士，韓根全度過了一段勤奮而迷茫的時期。「無論如何努力都出不了成果，好幾次差點放棄做研究。」直到去新加坡國立大學讀博士後，他才找到了問題的癥結，「站得不高、看得不遠，對方向的選擇和把握不足，再勤奮也沒用」。

韓根全最終轉向了微電子器件方向，並借著鍺錫材料的東風，開始駛入科研高速路。2013年，成果優異的韓根全謝絕導師提薪晉職的挽留，回國來到了西安電子科技大學。

「失敗中積累的很多東西都派上了用場」

初到新加坡國立大學，韓根全在導師指導下開始了以硅為材料的隧穿晶體管研究。從無論如何都達不到實驗要求，到在微電子器件領域產生一些影響，韓根全用了5年時間。

「團隊成員都很優秀，實驗條件也很優越，但頭3年，我們怎麼做也不出成績。不僅我的研究生涯面臨結束，團隊成員也陷入可能畢不了業的窘境，這讓我很崩潰。」

關鍵時候，轉折點出現了。如韓根全當年博士畢業時所預料的那樣，中科院半導體所那台他調試了5年的設備上，「長」出了新的高質量鍺錫材料。這一發現頓時讓韓根全的科研之路柳暗花明，他做出了突破性、開創性的成果。

到西安電子科技大學加入郝躍院士課題組後，韓根全研究的重點依然是鍺基溝道CMOS器件這一國際微電子前沿領域。2014年，他的團隊獲得了鍺錫p溝道晶體管空穴遷移率國際最高紀錄，比硅器件提高了5倍以上。2016年，他的團隊實現高遷移率應變鍺p溝道晶體管，比硅器件遷移率提高18倍。

「我們萬事俱備，只欠東風，而鍺錫就是東風。先前在失敗中積累的很多東西在鍺錫出現後都派上了用場。」韓根全說，「在逆境中學會積累，遲早會有突破。」

「重要的是學生真正進步，發論文只是副產品」

韓根全從2013年開始在國內帶研究生，至今學生已發表高水平SCI（科學引文索引）論文幾十篇，多次在國際會議作口頭報告，獲國家級獎勵8人次。有研究生獲得國際學術會議最佳學生論文獎，更有學生登上國際微電子學界王牌會議演講台。

第一次參加國際會議的學生們往往緊張到吃不下飯。韓根全安慰說：「哪怕站在台上20分鐘一句話不說也沒關係。」漸入佳境的學生們最終作出了一場場出色的口頭報告。

「本年度計劃送10人次出國開會。」韓根全說，「想到可以去國際會議作口頭報告，學生們很開心，做得也帶勁，就容易出成果。」

被許多人看重的論文發表數量，在韓根全這裡倒成為次要，「重要的是學生真正進步，發論文只是副產品」。

韓根全再次提起「理想」和「情懷」，「這兩個詞對年輕學者來說很重要，成功與否、錢多錢少不重要，但要對得起國家、對得起學校、對得起學生」。（本報記者 馮麗 通訊員 付一楓）

《中國教育報》2017年05月13日第2版