華為擬改善手機供應鏈 會否走自給自足之路？

OFweek電子工程網訊 華為P10「快閃記憶體門」事件過去一段時間了，而該公司是如何反思的，面對如此棘手的供應鏈問題，它有怎樣的思路和解決辦法呢……

近日，華為消費者事業部負責人余承東在接受媒體採訪時表示，該公司正在對智能手機當中的關鍵晶元和元器件供應鏈進行全面審視，並在研討供應鏈改善方案。

余承東表示，華為雖然並未直接生產這些重要的手機元器件，但卻具備一些相關技術能力。言下之意，或許華為今後會考慮讓部分元器件實現自給自足。

P10「快閃記憶體門」回顧

今年早些時候，華為推出了旗艦手機P10和P10 Plus，而其採用的快閃記憶體主要由三星電子提供。華為在初期宣傳的時候，稱P10和P10 Plus採用的是符合最新UFS 2.1標準的快閃記憶體。而有用戶發現，華為P10實際上使用了UFS 2.1、UFS 2.0和EMMC 5.1三種不同規格的快閃記憶體，由此，網友開始質疑華為P10在快閃記憶體上沒有統一使用高規格的UFS標準產品。

華為官方的性能測試顯示，麒麟960搭配UFS 2.1快閃記憶體的讀取速度超過800MB/s，寫入速度接近180MB/s，隨機讀取速度超過140MB/s，隨機寫入速度也有14MB/s左右。相比之下，eMMC標準快閃記憶體的讀取速度只有200~300MB/s的水平，與UFS 2.1快閃記憶體有較大差異。

對於這些質疑和差異，余承東當時顯然沒有做好公關工作。對於消費者的抱怨，他稱：確實有部分P10產品因為UFS快閃記憶體供貨不足而改用eMMC，他強調華為已經在手機設計上做了優化處理，因此內建eMMC的手機性能，與UFS的基本沒有差別。

對於余承東的這番言論，廣大用戶表示出了極大的憤慨，對華為P10手機「同價不同質」的憤怒一時間甚囂塵上。

存儲器缺貨依舊

出現快閃記憶體門事件的根源還是供貨問題。由於三星沒有給華為提供足夠的UFS快閃記憶體供應，使得華為不得不採用低階的eMMC。

缺貨問題不僅是在中國，全球都是如此，而且從目前的市場情勢來看，問題還會更加嚴重。

眼下，三星電子、SK海力士、東芝半導體、美光等存儲晶元大廠都供貨不足，DRAM、NAND的價格將在今年的Q3略有上漲。

近期，RW Baird分析師Tristan Gerra發表研究報告指出，根據他在亞洲的調查，DRAM供給正在逐漸吃緊，DRAM、NAND的訂價則將在Q3出現1%~4%的增長。

東芝決定出售Memory事業部，競標者眾多、過程冗長，這可能導致NAND繼續短缺。東芝的3D NAND投資計劃勢必將因此延後，這會讓供給短缺狀況雪上加霜。

根據DRAMeXchange統計，今年第一季度整體NAND Flash行情延續了去年第四季度的勢態，持續受到缺貨影響，即使第一季度為傳統NAND Flash淡季，渠道合約價仍上漲約20%~25%。

由於NAND在平面製程(2D/Planar NAND)面臨微縮限制，進而轉進垂直堆棧製程(3D/Vertical-NAND)，然而轉換期所造成了產能損失，導致供需失衡，使合約價持續上漲。

儘管第一季度為傳統淡季，終端需求量較少，但因為供給產出量受製程轉換影響而降低，市場供給仍相對吃緊。DRAMeXchange預估，在2017年NAND Flash供應都將吃緊的情況下，NAND Flash廠商營收將逐季增加。

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