專註於NAND：三星公司大力推動64層3D快閃記憶體晶元生產

三星公司表示，繼東芝與西部數據發布64層NAND驅動器之後，其也將推出自家64層NAND驅動器產品。美光與其快閃記憶體代工合作夥伴英特爾亦有計劃推出自己的64層產品。

三星的V-NAND三層單元（簡稱TLC）晶元擁有256 Gbit存儲容量，且將被應用於移動、PC以及伺服器等多個領域。

東芝與西部數據雙方最近分別發布了其64層3D晶元SSD，其中東芝的XG5以NVMe M.2形式提供256 GB、512 GB以及1 TB存儲容量。這款TLC晶元還配備有一套SLC（即單層單元）緩存。

西部數據的藍盤SSD則分別提供2.5英寸與M.2兩種尺寸形式，採用SATA介面並提供250 GB、500 GB、1 TB以及2 TB幾種容量選項。

美光與英特爾雙方即將推出的SSD產品也將採用64層NAND晶元技術。

三星公司將在今年晚些時候推出其採用64層晶元的嵌入式UFS（即通用快閃記憶體存儲）內存、品牌SSD以及外部存儲卡。UFS內存可用於智能手機、數碼相機以及其它類似設備。

三星公司利用其256 Gbit 64層晶元打造出各款產品

三星方面宣稱，截至今年年底，64層晶元將在其月度NAND快閃記憶體生產總量當中佔據超過一半比例。該公司期待著儘快邁入TB級別V-NAND時代，這意味著晶元存儲容量將提升4倍。具體來講，三星公司需要提升堆疊層數以及/或者進一步縮小單元尺寸——亦可能二者兼而有之。

三星公司表示，其256 Gbit晶元擁有約853億個存儲單元，外加數十億個貫穿「數十個單元陣列」的通孔。其生產技術難點在於確保這些通孔擁有均勻的開關，同時「適當分散各個層的重量以提高通孔穩定性」。

作為第三大難題，三星公司還需要均勻地「利用原子級別厚度的非導電物質覆蓋每個通孔的內壁。」隨著晶元內堆疊層數的不斷提升，以上難點將帶來更為嚴峻的製造挑戰。

三星公司目前在晶元容量與每層容量方面皆落後於其它競爭對手，因此可以想見其必然將奮起直追以縮小差距。

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